5. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Tipps und Tricks für den richtigen Einsatz

6. September 2021, 9:56 Uhr | Engelbert Hopf
WEKA Fachmedien, Infineon, Nexperia, Cree
Vier bekannte Persönlichkeiten der Leistungshalbleiter-Branche halten die Keynotes auf dem diesjährigen „Anwenderforum Leistungshalbleiter“: Dr. Peter Friedrichs, Vice President SiC, und Andreas Urschitz, Devision President Power & Sensor Systems, beide von Infineon Technologies, sowie Toni Versluijs, General Manager des Geschäftsbereichs MOSFETs und GaN-FETs bei Nexperia, und Gregg Lowe, CEO von Cree/Wolfspeed (v.l.n.r).
© WEKA Fachmedien, Infineon, Nexperia, Cree

Vier hochkarätige Keynotes zählen zu den Highlights des diesjährigen „Anwenderforums Leistungshalbleiter“. Internationale Experten geben Tipps zum optimalen Einsatz von Silizium-, SiC- und GaN-Leistungshalbleitern.

Eine Leistungsfähige Veranstaltungsplattform sorgt für einen einfachen und schnellen Informationsaustausch.

Da lange nicht absehbar war, wann Innenraumveranstaltungen mit einer Vielzahl von Teilnehmern wieder möglich sein werden, findet das 5. „Anwenderforum Leistungshalbleiter“ pandemiebedingt auch in diesem Jahr virtuell statt, und zwar am 26. und 27. Oktober. Vor einem Jahr hatten bei der Premiere als virtuelle Veranstaltung insgesamt 100 Personen die Gelegenheit genutzt, sich über aktuelle Entwicklungen und Trends in der Leistungshalbleitertechnik zu informieren und wie sie sich am besten für die verschiedensten Applikationen nutzen lassen.
In diesem Jahr nun umfasst das Programm an beiden Tagen inklusive der Keynotes 22 Vorträge von insgesamt 16 Unternehmen und Forschungseinrichtungen. Dem Organisationsteam ist es gelungen, insgesamt vier Keynote-Sprecher für die Veranstaltung von Markt&Technik und Design&Elektronik zu gewinnen. So werden am ersten Veranstaltungstag zwei Top-Manager von Infineon Technologies die Keynotes halten: Andreas Urschitz und Dr. Peter Friedrichs.

So eröffnet Andreas Urschitz, Division President Power & Sensor Systems, den ersten Veranstaltungstag um 9:30 Uhr mit seiner Keynote „»More than Moore – GaN Shaping Energy Efficiency“ und beleuchtet damit die Möglichkeiten eines in Zukunft effizienteren Energieeinsatzes durch die Verwendung von GaN-Leistungshalbleitern. Dr. Peter Friedrichs, Vice President SiC bei Infineon Technologies, hält dann um 13 Uhr die zweite Keynote des Tages: „Future Application Trends of SiC – No Longer Limit to Solar and Automotive“.

Das Keynote-Speaker-Paar des zweiten Veranstaltungstages bilden Toni Versluijs von Nexperia und Gregg Lowe von Wolfspeed. So eröffnet Toni Versluijs, General Manager des Geschäftsbereichs MOSFETs und GaN-FETs bei Nexperia, den zweiten Veranstaltungstag um 9 Uhr mit seiner Keynote „GaN – Adressing the Challenges of a Booming Power Market“. Den Schlusspunkt des 5. Anwenderforums Leistungshalbleiter setzt dann Gregg Lowe, CEO von Cree/Wolfspeed, mit einer Keynote, die neben der zukünftigen Roadmap des Unternehmens auch auf neue Applikationsmöglichkeiten für SiC neben Automotive und Solar eingehen dürfte.

Wie auch in den letzten Jahren beschäftigt sich in etwa die Hälfte der ausgewählten Vorträge mit den Möglichkeiten des Einsatzes von Wide-Bandgap-Bauteilen. Dabei konzentriert sich der erste Veranstaltungstag im Wesentlichen auf SiC; der zweite Veranstaltungstag bietet dann Vorträge zum Thema GaN. So geht etwa Frank Heidemann vom SET am ersten Veranstaltungstag auf das Testen von SiC-Bauelementen ein: „SiC Testing – dynamische Anforderungen an statische Tests“. Sumit Jadav von GeneSiC Semiconductor präsentiert einen Vortrag mit dem Titel „A Hitchhiker´s Guide to SiC Power MOSFET Performance, Reliability and Cost Trade-offs“. STMicroelctronics steuert zudem am ersten Veranstaltungstag einen Vortrag mit dem Titel „Running with SiC from Discretes to Modules – Performance Evolution on the Same SiC-Die Using 3-Pin, 4-Pin- molded Modules and Power Modules“ bei.

Am zweiten Veranstaltungstag setzt sich beispielsweise Dr. Richard Reiner vom Fraunhofer IAF in seinem Vortrag mit den Trends und Perspektiven der GaN-Leistungselektronik auseinander. Andy Smith von Power Integrations wirft in seinem Vortrag die Frage auf: »Could Your Application Benefit from GaN?«. Und Marco Palma von Efficient Power Conversion geht in seinem Vortrag auf »GaN Devices for Motor Drives Applications« ein. Dr. Thomas Neyer seinerseits legt in seinem Vortrag »How to Keep up with the SiC Demand« den Lösungsansatz von onsemi dar. Neben den genannten Vorträgen, die sich mit Wide-Bandgap-Materialien beschäftigen, gibt es wieder eine ganze Reihe von Vorträgen renommierter Leistungshalbleiterhersteller, die sich mit Verbesserungen im Bereich klassischer Silizium-Dioden, -MOSFETs und -IGBTs beschäftigen.

Unterstützt wird das diesjährige Anwenderforum Leistungshalbleiter von den Gold-Sponsoren Infineon Technologies und STMicroelectronics. Zu den vortragenden Firmen und Instituten zählen Nexperia, Efficient Power Conversion, Power Integrations, STMicroelectronics, Alpha and Omega Semiconductor, Pre-Switch, SET, Littelfuse, Semikron, Rohm Semiconductor, Star Power, onsemi, GeneSiC Semiconductor, Cree/Wolfspeed und das Fraunhofer IAF.
Nutzen Sie die Gelegenheit, sich noch rechtzeitig bis zum 15. September anzumelden und so von den Early-Bird-Tarifen des 5. Anwenderforums Leistungshalbleiter zu profitieren! 


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