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ECPE SiC & GaN User Forum 2021

Verdrängen SiC und GaN die Silizium-Leistungshalbleiter?

Leo Lorenz, ECPE, Siilicon Carbide, Gallium Nitride
© WEKA Fachmedien

Das SiC & GaN User Forum des ECPE hatte das Motto »Potenzial von Wide-Bandgap-Halbleitern in leistungselektronischen Anwendungen«. Wir fragten Prof. Leo Lorenz, in welchen Anwendungen diese die siliziumbasierten Halbleiter verdrängen werden. Seine Antwort fällt vorsichtig aus.

Am 30. Juni und 1. Juli 2021 fand das ECPE SiC & GaN User Forum statt. Es stand unter dem Motto »Potenzial von Wide-Bandgap-Halbleitern in leistungselektronischen Anwendungen«. Wir fragten Prof. Leo Lorenz, den Chairman der ECPE, nach einigen Höhepunkten aus diesem Forum und in welchen Anwendungen SiC und GaN die siliziumbasierten Halbleiter verdrängen werden.

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