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700-V-Superjunction-Mosfets

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Durch höhere Leistungsdichte und verbesserter Schaltperformance zeichnen sich die Superjunction-MOSFETs von WAYON aus.

Mit der dritten Entwicklungsstufe seiner 700-V-SuperJunction-MOSFETs der C4-Familie konnte WAYON Electronics mit Sitz in Shanghai (Vertrieb TRS-STAR GmbH), durch die Reduzierung des RDS(ON) pro Flächeneinheit und die Reduktion der Gate-Ladung einen weiteren Schritt in Richtung höherer Leistungsdichte und verbesserter Schaltperformance gehen.

Aus dem niedrigen RDS(ON) resultieren reduzierte Leitendverluste und höhere Effizienzwerte, insbesondere bei Anwendungen, die bei niedrigen Eingangsspannungen in Volllast betrieben werden. Durch die Optimierung der Gate-Ladung QG konnte die dynamische Leistungscharakteristik hinsichtlich Schaltverlusten und Ansteuerleistung gegenüber der Vorgängergeneration ebenfalls signifikant verbessert werden.

Derzeit umfasst das Portfolio Sperrspannungen von 700 V mit Kanalwiderständen von 0,3 Ω bis 1,14 Ω in SMD- und THT-Industriestandardgehäusen. Die C4-MOSFET-Familie wird in Zukunft um weitere Spannungsklassen und Gehäusevarianten ausgebaut.

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