Das EPC9157 ist ein 33 mm x 22,9 mm x 9 mm großes Demoboard, das neben den eGaN-FETs von EPC den Abwärtsregler ISL81806 von Renesas enthält. Dieses Board soll Anwendern zeigen, dass GaN sich genauso einfach einsetzen lässt wie Silizium.
Brick-DC/DC-Wandler sind in Rechenzentren, Computer-, Telekommunikations- und Automotive-Anwendungen weit verbreitet und wandeln 48 V in eine 12-V-Busspannung. Für solche Anwendungen hat Efficient Power Conversion (EPC) das EPC9157 vorgestellt, ein 300 W starkes DC/DC-Demoboard im 1/16-Brick-Format. Das 33 mm x 22,9 mm x 9 mm große Board enthält den Zweifach-Synchron-Abwärtsregler ISL81806 von Renesas und die neuesten 100-V-eGaN-FETs vom Typ EPC2218 von EPC, um einen Wirkungsgrad von mehr als 95 Prozent für eine geregelte Wandlung von 48 V auf 12 V bei 25 A zu erzielen. Das Demoboard kostet 378 US-Dollar und steht ab sofort über Digi-Key zur Verfügung.
Der ISL81806 von Renesas ist nach Herstellerangabe der branchenweit erste Dual-Ausgang- oder 2-Phasen-Synchron-Abwärtsregler mit integrierten GaN-Treibern, der Schaltfrequenzen bis 2 MHz unterstützt. Das 80-V-Bauteil nutzt eine Peak-Current-Mode-Regelung und erzeugt zwei unabhängige Ausgänge oder einen Ausgang mit zwei verschachtelten Phasen. Er unterstützt auch die aktive Stromaufteilung (Current Sharing), Synchronisation für das Parallelschalten mehrerer Controller und/oder mehrerer Phasen, einen verbesserten Wirkungsgrad bei niedriger Last und einen niedrigen Abschaltstrom. Zu den Schutzfunktionen gehören Unterspannungsschutz (UVLO) am Eingang sowie Schutz gegen Überstrom, Überspannung und Übertemperatur.
Der ISL81806 kann GaN-FETs wie die von EPC direkt ansteuern, was das Design vereinfachen, die Anzahl von Bauelementen minimieren und die Kosten niedrig halten soll. Der hochintegrierte ISL81806 reduziert auch die Stücklistenkosten für GaN-Lösungen, da kein Mikrocontroller, Strommessverstärker oder Housekeeping-Strombedarf erforderlich ist.
Alex Lidow, CEO von EPC, dazu: »Der synchrone Abwärtsregler von Renesas macht den Einsatz von GaN noch einfacher. Damit können wir die Vorteile dieser fortschrittlichen Controller mit der Leistungsfähigkeit von GaN koppeln. «
Philip Chesley, Vice President der Industrial and Communications Business Division bei Renesas, fügte hinzu: »Der ISL81806 nutzt die hohe Leistungsfähigkeit von GaN-FETs für Lösungen mit hoher Leistungsdichte umfassend aus und senkt gleichzeitig die Kosten auf der Stückliste. Das Design mit GaN-FETs ist so einfach wie die Verwendung von MOSFETs auf Siliziumbasis.«