Rohm Semiconductor
P-Kanal-MOSFETs mit niedrigerem Einschaltwiderstand
Um 24 P-Kanal-MOSFETs mit einer Spannungsfestigkeit von –40 V und –60 V hat Rohm seine Produktpalette erweitert. Hervorstechendes Merkmal ist der Einschaltwiderstand, der bis zu 62 Prozent niedriger als bei Konkurrenzprodukten sein soll.
Es gibt zwei Arten von MOSFETs: N-Kanal- und P-Kanal-Typen. N-Kanal-Versionen weisen beim Einsatz als High-Side-Schalter im Allgemeinen einen höheren Wirkungsgrad auf, weil sie einen niedrigeren RDS(on) haben als P-Kanal-Typen. Allerdings erfordern P-Kanal-MOSFETs nicht nur eine Gate-Spannung, die höher als die Eingangsspannung ist, sondern erschwert auch die Schaltungskonfiguration. P-Kanal-MOSFETs können dagegen mit einer Gate-Spannung unterhalb der Eingangsspannung betrieben werden. Das vereinfacht die Konfiguration einer Schaltung erheblich und reduziert den Designaufwand.
Vor diesem Hintergrund hat Rohm Semiconductor die neuen P-Kanal-MOSFETs der fünften Generation entwickelt. Die Entwickler konnten die Bauelementstruktur optimieren, und das neue Design verringert die Konzentration des elektrischen Feldes. Damit soll in der Summe nicht nur die Zuverlässigkeit der Bauelemente steigen, sondern sie erreichen laut Hersteller auch den niedrigsten Einschaltwiderstand pro Flächeneinheit in ihrer Klasse. Bei den neuen –40-V-Produkten soll der Einschaltwiderstand gegenüber herkömmlichen Produkten um 62 Prozent niedriger sein, bei den –60-V-Produkten um 52 Prozent.
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Rohm Semiconductor
Die neuen Versionen, die sich bereits in der Serienfertigung befinden, sind sowohl in Einzel- (RQxxxxxAT/RDxxxxxAT/RSxxxxxAT/RFxxxxxAT) als auch in Doppelkonfigurationen (UTxxx5/QHxxx5/SHxxx5) erhältlich. Sie eignen sich besonders für Industrie- und Endverbraucheranwendungen wie Fabrikautomatisierung, Robotik und Klimaanlagen.
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