Schwerpunkte

5. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Hochkarätige Keynote-Sprecher

18. August 2021, 10:00 Uhr   |  Ralf Higgelke

Hochkarätige Keynote-Sprecher
© WEKA Fachmedien, Infineon, Nexperia, Cree

Die Keynote-Sprecher des fünften Anwenderforum Leistungshalbleiter (v.r.n.l.): Andreas Urschitz, Dr. Peter Friedrichs (beide Infineon), Toni Versluijs (Nexperia) und Gregg Lowe (Cree/Wolfspeed).

Am 26. und 27. Oktober 2021 findet das 5. Anwenderforum Leistungshalbleiter noch einmal in virtueller Form statt. Wir geben einen Ausblick auf die Keynotes von Andreas Urschitz und Dr. Peter Friedrichs (Infineon Technologies) sowie Toni Versluijs (Nexperia) und Gregg Lowe (Cree/Wolfspeed).

Am ersten Tag des virtuellen Anwenderforums Leistungshalbleiter hält das Branchen-Schwergewicht Infineon zwei Keynotes. Zur Eröffnung spricht Andreas Urschitz, als Division President PSS verantwortlich für Silizium-MOSFETs und Galliumnitrid-FETs. Sein Thema: Galliumnitrid prägt die Energieeffizienz. Um den Kampf gegen die globale Erwärmung nicht zu verlieren, ist es nötig, elektrische Energie effizienter zu generieren, zu übertragen und zu gebrauchen. Welche Rolle Galliumnitrid dabei spielen könnte, wird uns der Redner darlegen.

Dr. Peter Friedrichs, Vice President SiC bei Infineon, wird den Nachmittag des ersten Tages eröffnen, der ganz diesem Wide-Bandgap-Material gewidmet ist. Bislang waren derartige Halbleiter vor allem auf die Anwendungsbereiche Solar-Umrichter und Automotive beschränkt. Anhand konkreter Beispiele wird der Redner zeigen, wie auf der Grundlage von Produkten, die auf bestimmte Bedürfnisse zugeschnitten sind, ein breiteres Spektrum von Anwendungen aus den besonderen Eigenschaften von Siliziumkarbid Nutzen ziehen können.

© elektroniknet

Am 26. und 27. Oktober 2021 findet das 5. Anwenderforum »Leistungshalbleiter« pandemiebedingt noch einmal in virtueller Form statt. Engelbert Hopf, Chefreporter der Markt&Technik, und Ralf Higgelke, Redakteur der DESIGN&ELEKTRONIK, geben einen Ausblick auf die diesjährige Veranstaltung. Das komplette Programm und alle Infos zur Anmeldung finden Sie hier: www.leistungshalbleiter-anwenderforum.de

Toni Versluijs, als General Manager für den Geschäftsbereich MOSFETs und GaN-FETs
bei Nexperia verantwortlich, wird die Entwicklungen auf dem GaN-Markt erörtern und die Pläne des Unternehmens ausführlich darlegen. Dazu gehören Einblicke in Applikationen, Technologie und Packaging-Innovationen sowie die Investitionen des Unternehmens in neue Fertigungskapazitäten wie auch in Forschung und Entwicklung.

Besonders auf die Keynote von Gregg Lowe, CEO des SiC-Pioniers Cree/Woldspeed, dürfen wir gespannt sein. Er wird sicher über den Stand des Kapazitätsausbaus informieren, den er auf der PCIM 2019 angekündigt hatte.

onsemi, Thomas Neyer
© onsemi

Thomas Neyer, Head of SiC Development bei onsemi, wird über das Thema sprechen: "How to keep up with SiC demand – ONSEMI’s approach"

Kurzfristig konnten wir noch Thomas Neyer gewinnen. Er ist Head of SiC Development bei onsemi. Er wird das Spannungsfeld ausloten, in dem sich die Hersteller der Bauelemente wegen der dramatisch steigenden Nachfrage nach SiC-MOSFETs bewegen. Sie müssen viele schwierige Entscheidungen zu treffen, um ausreichend hochwertige Substrate zur Verfügung zu haben, ein ausgewogenes Verhältnis zwischen internen und externen Kapazitäten herzustellen und den optimalen Zeitpunkt für die Umstellung von einer 6-Zoll- auf eine 8-Zoll-Fertigung zu bestimmen. Er wird die die verfügbaren Optionen und ihre Vorteile aus Sicht von onsemi erörtern und erklären, wie die SiC-Volumenproduktion die Leistungshalbleiterindustrie in naher Zukunft prägen wird.

Seien Sie bei diesem Branchenereignis dabei und melden Sie sich an unter: https://events.weka-fachmedien.de/anwenderforum-leistungshalbleiter/anmeldung/#/

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