Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Größere Reichweite

650-V-ICeGaN-Bauteil für Automobilanwendungen

Cambridge GaN Devices (CGD) hat ein 650-V-GaN-IC für Automobilanwendungen entwickelt, der den Wirkungsgrad des Wechselrichters verbessert. ICeGaN ermöglicht kleinere und leichtere Wechselrichter, mit denen sich die Reichweite von Elektrofahrzeugen verlängern lässt.

Toshiba Electronics Europe

40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs in SOP-Advance(EWF)-Gehäuse

Toshiba erweitert sein Portfolio um drei 40-V-N-Kanal-MOSFETs im neuen...

Rohm

SiC-MOSFETs für BBUs in HVDC-Architekturen

Rohm hat bekannt gegeben, dass sein 750-V-SiC-MOSFET in einer BBU (Battery Backup Unit)...

Messeplattform PCIM

Neue Produkte für die Leistungselektronik Teil 4

Über 650 Aussteller aus 27 Ländern präsentieren auf der diesjährigen PCIM Expo &...

PCIM Expo & Conference 2026

AI & Data Centers rücken in den Fokus

Einmal mehr versammelt die PCIM Expo & Conference vom 9. bils 11. Juni 2026 die ganze...

Infineon

CoolSiC half-bridge in H-DPAK

Build your next OBC converters and AI data center PSUs with half the external...

Ansas Semiconductor

Next generation insulated Packaging Technology

The reliable assembly of traditional power components is often complex and...

Rohm

SiC MOSFETs for BBUs in HVDC Architectures

Rohm announced that its 750 V SiC MOSFET has been adopted in a Battery Backup Unit...

Increase EV range

650V ICeGaN Device for Automotive Applications

Cambridge GaN Devices (CGD) has developed a 650V GaN IC for automotive applications...

Toshiba Electronics Europe

40 V N-channel power MOSFETs in SOP Advanced(EWF) package

Toshiba launches 40V N-channel power MOSFETs in SOP Advance(EWF) package to boost...