MOSFET-Gate-Treiber von Infineon

Leistungsstarker Low-Side-Treiber mit Wärmeleitpad

25. Januar 2021, 16:00 Uhr | Ralf Higgelke

Um einen zweikanaligen, für bis zu 24 V ausgelegten Low-Side-Gate-Treiber mit integriertem Wärmeleitpad hat Infineon Technologies sein EiceDRIVER-Portfolio erweitert.

Für Anwendungen mit höheren Schaltfrequenzen wie Blindleistungskorrektur und Synchrongleichrichtung, aber auch als Transformator- oder als Puffer-Treiber für parallele MOSFET-Anwendungen oder Hochstrom-IGBT-Module wie EasyPACK und EconoPACK, eignet sich der zweikanalige 2ED24427N01F aus der EiceDRIVER-Familie von Infineon. Er kann ab sofort im Standardgehäuse DSO-8 (SOIC-8) mit Wärmeleitpad und ESD-Klassifizierung 2 kV HBM bestellt werden.

Dieser für bis zu 24 V ausgelegte Gate-Treiber bietet eine symmetrische Ausgangsstufe mit 10 A Stromtreiberfähigkeit (Quelle/Senke) mit integriertem Unterspannungsschutz (UVLO) und eine Steuerung zur Aktivierung des Logikpegels. Der Gate-Treiber ist in einem industriekompatiblen DSO-8-Gehäuse mit thermisch effizientem, freiliegendem Wärmeleitpad erhältlich. Mit 55 ns Laufzeitverzögerung sowie Source- und Sink-Einschaltwiderständen von maximal 450 mΩ pro Kanal ermöglicht der Treiber laut Hersteller hohe Schaltfrequenzen mit reduzierten Schaltverlusten der Leistungstransistoren.

Das integrierte Wärmeleitpad bietet einen Wärmewiderstand von 4 K/W und soll damit einen zuverlässigen Betrieb mit niedrigeren Temperaturen unter Hochstrombedingungen oder bei höheren Schaltfrequenzen ermöglichen. Der 2ED24427N01F ist für den Betrieb Temperaturen von –40 °C bis +125 °C bis zertifiziert.