Nexperia und UAES
Enge Partnerschaft bei Galliumnitrid vereinbart
Nexperia hat mit United Automotive Electronic Systems (UAES) eine Kooperation für GaN-Halbleiterbauelemente geschlossen. Die Partnerschaft konzentriert sich auf Energieversorgungssysteme für Elektrofahrzeuge und zielt darauf ab, Automobilanwendungen auf der GaN-Basis zu entwickeln.
Die zunehmende Elektrifizierung von Autos, der ständig steigende Leistungsbedarf von 5G-Telekommunikationslösungen und die Evolution von Industrie 4.0 erfordern Energiewandler mit größtmöglicher Energieeffizienz. GaN-Technik wird sich dabei voraussichtlich als wichtiger Bestandteil etablieren. Deshalb wird der Bedarf an Leistungshalbleitern in den kommenden Jahren steigen. UAES setzt GaN-FETs von Nexperia bereits in F&E- und Kooperationsprojekten ein, unter anderem in fahrzeuginternen Ladegeräten und Hochspannungs-DC/DC-Wandlern für Elektroautos.
Nexperias GaN-Bausteine zeichnen sich durch ihre FOM-Werte (figure of merit, RDS(ON) • QGD) und Qrr-Werte (Reverse Recovery Charge) aus. Dies ermöglicht hohe Schaltfrequenzen und hohe Wandlerwirkungsgrade. Nexperia produziert GaN-Bauelemente auf der Basis ausgereifter Massenproduktionsprozesse, größtenteils in den eigenen globalen Produktionsstätten und nach den Qualitätsanforderungen des Automobilindustrie-Standards AEC-Q101.
UAES bietet Automobilherstellern umfassende Systemlösungen für den Antriebsstrang und die Karosserieelektronik. Das Unternehmen ist spezialisiert auf die Entwicklung, die Produktion und den Vertrieb von Steuerungssystemen für Verbrennungsmotoren, Getriebeeinheiten, Karosserieelektronik sowie Hybrid- und Elektroantriebe. Die fünf unternehmenseigenen Technologiezentren in China verfügen über Labore für die Entwicklung von Motoren, Automatikgetrieben, Elektroantrieben und kompletten Fahrzeugen. Die mit moderner Technik ausgestatteten Labore ermöglichen effiziente und hochwertige Ingenieurdienstleistungen einschließlich Systementwicklung, Komponentenentwicklung und Kalibrierung für diverse chinesische Automobilhersteller.
»Die hohe Leistungsdichte und Energieeffizienz von GaN-Feldeffekttransistoren auf Siliziumsubstrat werden bei der Elektromobilität eine entscheidende Rolle spielen. Wir schätzen sehr das breite Angebot, die hervorragende Marktposition und die Kundenbasis von UAES in der Automobilindustrie und glauben, dass unsere verstärkte Zusammenarbeit im Bereich GaN beiden Unternehmen helfen wird, den Kunden fortschrittlichere und effizientere Lösungen für EV-Energieversorgungssysteme zu liefern«, erläutert Paul Zhang, SVP Sales & Marketing und General Manager bei Nexperia China. »Mit der im Februar angekündigten Erhöhung der weltweiten Produktion und weiterer Investitionen in Forschung und Entwicklung werden wir die Entwicklung neuer Produkte voranbringen. Wir beabsichtigen, unsere Investitionen weiter auszubauen und gemeinsam ein Labor für die Entwicklung automobiler GaN-Anwendungen zu schaffen.«
Das könnte Sie auch interessieren
65V-eGaN-FET von EPC
Lidar-Systeme mit höherer Auflösung ermöglichen
Alps Alpine
Wasserdichter Detektorschalter für…
