Elektroniknet Logo

Infineon / MOSFETs

Zweite Generation an StrongIRFET für 80V und 100 V

Infineon, MOSFET, StrongIRFET 2
© Infineon Technologies

Eine verbesserte Generation an StrongIRFETs hat Infineon Technologies vorgestellt. Die neuen 80-V- und 100-V-MOSFETs punkten mit einem um 40 Prozent niedrigeren Durchlasswiderstand und eine um 50 Prozent niedrigere Gate-Ladung.

Infineon Technologies hat die StrongIRFET-2-Familie auf den Markt gebracht – eine neue Generation der Power-MOSFET-Technologie in 80 V und 100 V. Die neuen Produkte können ab sofort im TO-220-Gehäuse bestellt werden. Das neue Portfolio wird in verschiedenen Gehäusen erhältlich sein, unter anderem im TO-220 FullPAK, D²PAK, D²PAK 7-pin und DPAK.

Die MOSFET-Familie ist sowohl für niedrige als auch für hohe Schaltfrequenzen optimiert. Die Produkte unterstützen laut Hersteller ein breites Anwendungsspektrum und ermöglichen so eine hohe Design-Flexibilität. Besonders Anwendungen wie Schaltnetzteile, Motorantriebe, Akku-Werkzeuge, Batteriemanagement, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) und leichte Elektrofahrzeuge profitieren von der StrongIRFET-Familie.

Im Vergleich zu vorherigen Generationen verbessert die neue StrongIRFET-Technologie den RDS(on) um 40 Prozent (2,6 mΩ bis 12,9 mΩ) und senkt die Gate-Ladung QG um mehr als 50 Prozent (19 nC bis 170 nC), was für eine höhere Energieeffizienz sorgen und die Systemleistung insgesamt verbessern kann. Die erhöhten Nennströme (50 A bis 196 A) ermöglichen eine höhere Stromtragfähigkeit, wodurch die Parallelschaltung mehrerer Bausteine überflüssig wird. Das wiederum kann die Stücklistenkosten senken und auf der Leiterplatte Platz sparen.

Anbieter zum Thema

zu Matchmaker+

Das könnte Sie auch interessieren

Verwandte Artikel

Infineon Technologies AG, INFINEON Technologies AG Neubiberg