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Zweite Generation an StrongIRFET für 80V und 100 V

09. März 2021, 11:04 Uhr   |  Newsdesk WEKA FACHMEDIEN

Zweite Generation an StrongIRFET für 80V und 100 V
© Infineon Technologies

Eine verbesserte Generation an StrongIRFETs hat Infineon Technologies vorgestellt. Die neuen 80-V- und 100-V-MOSFETs punkten mit einem um 40 Prozent niedrigeren Durchlasswiderstand und eine um 50 Prozent niedrigere Gate-Ladung.

Infineon Technologies hat die StrongIRFET-2-Familie auf den Markt gebracht – eine neue Generation der Power-MOSFET-Technologie in 80 V und 100 V. Die neuen Produkte können ab sofort im TO-220-Gehäuse bestellt werden. Das neue Portfolio wird in verschiedenen Gehäusen erhältlich sein, unter anderem im TO-220 FullPAK, D²PAK, D²PAK 7-pin und DPAK.

Die MOSFET-Familie ist sowohl für niedrige als auch für hohe Schaltfrequenzen optimiert. Die Produkte unterstützen laut Hersteller ein breites Anwendungsspektrum und ermöglichen so eine hohe Design-Flexibilität. Besonders Anwendungen wie Schaltnetzteile, Motorantriebe, Akku-Werkzeuge, Batteriemanagement, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) und leichte Elektrofahrzeuge profitieren von der StrongIRFET-Familie.

Im Vergleich zu vorherigen Generationen verbessert die neue StrongIRFET-Technologie den RDS(on) um 40 Prozent (2,6 mΩ bis 12,9 mΩ) und senkt die Gate-Ladung QG um mehr als 50 Prozent (19 nC bis 170 nC), was für eine höhere Energieeffizienz sorgen und die Systemleistung insgesamt verbessern kann. Die erhöhten Nennströme (50 A bis 196 A) ermöglichen eine höhere Stromtragfähigkeit, wodurch die Parallelschaltung mehrerer Bausteine überflüssig wird. Das wiederum kann die Stücklistenkosten senken und auf der Leiterplatte Platz sparen.

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