Schwerpunkte
Texas Instruments stellt einen neue 600 und 650 V-GaN-FET für die Automotive-Branche und die Industrie vor. Bordladegeräte für Elektrofahrzeuge und industrielle Stromversorgungen profitieren von einer verdoppelten Leistungsdichte durch einen…
Einen über fünf Jahre laufenden Liefervertrag für SiC-Boules…
SiC boomt, doch das Rohmaterial dafür ist knapp. Infineon hat mit GT…
Eine strategische Partnerschaft für die Entwicklung intelligenter…
Der Wandel von Silizium zu Siliziumcarbid wird sich im Automobil- und…
Das weltweit erste Modul mit Si-Treiber und GaN-Leistungstransistoren…
Als ersten Siliziumkarbid-MOSFET, der auf der im Juli 2020…
Infineon erweitert sein Portfolio an Siliziumkarbid-Bauelementen…
Hinter Bizen (Bipolar/Zener) verbirgt sich eine neuartige…
Wer bisher die Vorteile von GaN-Leistungshalbleitern nutzen wollte,…
