Leistungshalbleiter

Leistungshalbleiter

Mitsubishi drängt auf Chipbündnis bis September

Seit März verhandeln Mitsubishi Electric, Toshiba und Rohm über die Zusammenlegung ihrer Leistungshalbleitergeschäfte. Bis September soll nun eine Einigung stehen. Mit dem Gemeinschaftsunternehmen wollen die drei Konzerne ihre Wettbewerbsposition auf dem Weltmarkt stärken.

Infineon Technologies in Dresden

Größte Fab für Leistungs- und Analog/ Mixed-Signal-ICs

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Optimistische Leistungselektronik

PCIM: Starkes Wachstum bei 800-V-Technik erwartet

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MOSFETs der AG16xFNxx-Serie von ROHM

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Größere Reichweite

650-V-ICeGaN-Bauteil für Automobilanwendungen

Cambridge GaN Devices (CGD) hat ein 650-V-GaN-IC für Automobilanwendungen entwickelt,...

Toshiba Electronics Europe

40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs in SOP-Advance(EWF)-Gehäuse

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Rohm

SiC-MOSFETs für BBUs in HVDC-Architekturen

Rohm hat bekannt gegeben, dass sein 750-V-SiC-MOSFET in einer BBU (Battery Backup Unit)...

SiC für Bahnantriebe

Siemens und Mitsubishi bauen SiC-Allianz aus

Die Semiconductor Division von Mitsubishi Electric Europe B.V. und die Business Unit...

PCIM Expo & Conference 2026

AI & Data Centers rücken in den Fokus

Einmal mehr versammelt die PCIM Expo & Conference vom 9. bils 11. Juni 2026 die ganze...

Messeplattform PCIM

Neue Produkte für die Leistungselektronik Teil 4

Über 650 Aussteller aus 27 Ländern präsentieren auf der diesjährigen PCIM Expo &...