Leistungshalbleiter

Infineon Technologies

TLVR-Vierphasenmodul mit über 2 A/mm² Stromdichte

Infineon Technologies bringt ein Vierphasen-Leistungsmodul mit hoher Stromdichte und TLVR-Induktivitäten (Trans-Inductor Voltage Regulator) auf den Markt, um den Leistungsbedarf moderner KI-Rechenzentren zu decken.

Erneute Lieferprobleme?

Machtkampf um Nexperia eskaliert weiter

Laut Reuters warnte das chinesische Handelsministerium am Samstag vor der Möglichkeit...

2027 soll eigene Produktion starten

Rohm holt sich die GaN-Technologie von TSMC

Rohm übernimmt die 650 V GaN-Technologie von TSMC und baut bis 2027 eine eigene...

Cambridge GaN Devices (CGD)

Fabio Necco folgt auf CGD-Mitgründerin Giorgia Longobardi

Cambridge GaN Devices (CGD) hat Fabio Necco zum Chief Executive Officer (CEO) ernannt....

GaN-Mikrowechselrichter von Enphase

Höhere Schaltfrequenz, höherer Wirkungsgrad

Der kalifornische Mikrowechselrichter-Hersteller Enphase Energy fokussiert sich...

GaN-Leistungshalbleiter

onsemi und GlobalFoundries arbeiten zusammen

onsemi und GlobalFoundries haben eine Zusammenarbeit vereinbart, um neue...

Strategische Partnerschaft

Navitas und Cyient treiben GaN-Ökosystem in Indien voran

Navitas Semiconductor und das indische Unternehmen Cyient Semiconductors schließen eine...

Toshiba Electronics Europe

Superjunction-Leistungs-MOSFET im DFN8×8-Gehäuse

Toshiba Electronics Europe präsentiert im Rahmen der DTMOSVI 600-V-Serie einen...

STMicroelectronics

GaN-basierte SiPs für Weiße Ware und Fabrikautomatisierung

STMicroelectronics stellt seine GaNSPIN-GaN-Power-ICs für Motorantriebe vor. Sie bieten...

Advertorial: Avnet Silica

At the Pulse of the Market - The Avnet Silica Trendliner

Stay at the pulse of the semiconductor industry with our Trendliner: Explore the trends...