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300-mm-Waferfab Agrate R3

Tower Semiconductor zieht bei STMicroelectronics ein

24. Juni 2021, 08:30 Uhr   |  Ralf Higgelke

Tower Semiconductor zieht bei STMicroelectronics ein
© STMicroelectronics

In die im Bau befindliche 300-mm-Waferfab Agrate R3 von STMictroelectronics wird Tower Semiconductor mit einziehen.

Der Schlüsselparameter für die Wirtschaftlichkeit einer Halbleiter-Fab ist ihre Auslastung. Daher hat STMicroelectronics nun mit Tower Semiconductor vereinbart, dass diese Foundry in die gerade neu entstehende 300-mm-Waferfab Agrate R3 mit einziehen wird.

STMicroelectronics und Tower Semiconductor, eine Foundry für analoge Halbleiterlösungen, haben vereinbart, dass sich beide Unternehmen die im Bau befindliche 300-mm-Fab Agrate R3 am italienischen Standort Agrate Brianza von ST teilen werden. Diese Partnerschaft soll den Hochlauf auf hohe Stückzahlen beschleunigen. Dadurch sollen ein hoher Auslastungsgrad und damit wettbewerbsfähige Waferkosten erreicht werden. Außerdem werden laut ST die dort gefertigten Halbleiter dazu beitragen, die Versorgungsengpässe in einer Vielzahl von Anwendungen mittel- bis längerfristig zu entschärfen.

ST wird sich den Reinraum in R3 teilen, wobei Tower auf einem Drittel der Gesamtfläche seine eigenen Anlagen installiert. Damit werden die 300-mm-Kapazitäten von Tower mehr als verdreifacht. Voraussichtlich noch im Jahr 2021 wird die Halbleiter-Fab für die Installation der Anlagen bereit sein. Die Fertigung soll in der zweiten Jahreshälfte 2022 beginnen.

Beide Unternehmen werden in ihre jeweilige Prozessausrüstung investieren und gemeinsam daran arbeiten, die Fab zu qualifizieren und anschließend den Fertigungshochlauf zu beschleunigen. Das Betriebsmanagement bleibt bei ST, wobei ausgewähltes Tower-Personal für bestimmte Funktionen abgestellt wird, um die Qualifizierung der Fabrik und den Serienanlauf zu unterstützen, sowie in anderen technischen und prozessbezogenen Funktionen. In der ersten Phase sollen in der Fab 130-, 90- und 65-nm-Prozesse für Smart-Power-, Analog-Mixed-Signal- und HF-Prozesse qualifiziert werden. Produkte in diesen Technologien kommen vor allem in der Automobil-, Industrie- und persönlichen Elektronik zum Einsatz.

Höhere Fertigungskapazität als ursprünglich geplant

»Der Schlüsselparameter für die industrielle und wirtschaftliche Leistungsfähigkeit einer Fab ist ihre Auslastung«, erklärte Jean-Marc Chery, Präsident und CEO von STMicroelectronics. »Mit Tower haben wir einen großartigen Partner für die Massenfertigung von Analog-, Power- und Mixed-Signal-Produkten. Dadurch können wir Agrate R3 deutlich schneller qualifizieren und hochfahren sowie bereits in einer frühen Phase der Fertigung optimal auslasten. Die Kapazität der Fab im voll ausgebauten Zustand könnte im Vergleich zur ursprünglichen Kapazitätsschätzung von 2018, als wir das Projekt begannen, sogar noch gesteigert werden. Die in Agrate R3 hergestellten Produkte werden dazu beitragen, die Versorgungsengpässe in einer Vielzahl von Anwendungen mittel- bis längerfristig zu entschärfen.«

Russell Ellwanger, CEO von Tower, kommentierte: »Wir sind sehr erfreut, diese Partnerschaft mit STMicroelectronics bekannt geben zu können. ST ist bekannt für seine führende Technologie, operative Exzellenz und unternehmerische Integrität. Wir freuen uns auf unseren gemeinsamen Erfolg. Die Umsetzung unserer 65-nm-Prozesse auf 300-mm-Wafern für analogen HF-, Power-, Display- und anderen Technologien wird durch diese Aktivität in Agrate deutlich verbessert. Die 300-mm-Foundry-Kapazitäten von Tower werden mehr als verdreifacht. Damit können wir die steigende Nachfrage unserer Kunden in diesen schnell wachsenden Märkten gut bedienen.«

Um dieses Projekt umzusetzen, wird Tower eine hundertprozentige Tochtergesellschaft in Italien gründen. Einzelheiten über den Zeitplan und die Höhe der Investitionen wird Tower mit dem Fortschreiten des Projekts bekannt geben.

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