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Alpha and Omega Semiconductor

Automotive-qualifizierter 1200-V-SiC-MOSFET

09. März 2021, 09:06 Uhr   |  Ralf Higgelke

Automotive-qualifizierter 1200-V-SiC-MOSFET
© Alpha and Omega Semiconductor

Einen ersten AEC-Q101-qualifizierten Siliziumkarbid-MOSFET für On-Board-Ladegeräte für Elektrofahrzeuge, Antriebsumrichtern und Off-Board-Ladestationen hat Alpha and Omega Semiconductor vorgestellt. Der 1200-V-Baustein der αSiC-Serie eignet sich für den Einsatz bei 800-V-Bordnetzen.

Da der Markt für Elektrofahrzeuge auf Millionen von Einheiten pro Jahr ansteigt, implementieren Fahrzeughersteller zunehmend 800-V-Bordnetze, um die Größe und das Gewicht des Systems zu reduzieren und gleichzeitig die Reichweite zu erhöhen und deutlich schnellere Ladegeschwindigkeiten zu ermöglichen.

Der AEC-Q101-qualifizierte 1200-V-SiC-MOSFET AOM033V120X2Q von Alpha and Omega Semiconductor (AOS) hat einen Einschaltwiderstand RDS(on) von 33 mΩ und kann einen Drain-Strom von 68 A leiten. Er ist sofort in Produktionsmengen verfügbar. Das Portfolio der αSiC-MOSFETs für den Automobilbereich soll im Laufe des Jahres 2021 um einen breiteren Bereich von On-Widerständen und zusätzliche Gehäuseoptionen erweitert werden.

Der AOM033V120X2Q basiert auf der SiC-MOSFET-Plattform der zweiten Generation des Unternehmens und ist in einem TO-247-4L-Gehäuse untergebracht. Im Gegensatz zum Standardgehäuse mit drei Anschlüssen werden durch die Verwendung eines zusätzlichen Sense-Anschlusses die Induktivitätseffekte des Gehäuses reduziert. Dadurch kann der Baustein kann mit einer höheren Schaltfrequenz arbeiten, wobei die Schaltverluste im Vergleich zum Standardgehäuse um bis zu 75 Prozent reduziert werden.

Da die empfohlene Gate-Treiberspannung bei 15 V, lassen sich viele Standardtreiber einsetzen, sodass der Baustein in eine Vielzahl von Systemdesigns übernommen werden kann. Darüber hinaus steigt der Einschaltwiderstand bis zur Nenntemperatur von +175 °C nur gering, um Leistungsverluste zu minimieren und die Effizienz weiter zu erhöhen.

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