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Verbesserte Siliziumkarbid-MOSFETs für 650 V

18. Februar 2021, 09:34 Uhr   |  Ralf Higgelke

Verbesserte Siliziumkarbid-MOSFETs für 650 V
© ON Semiconductor

Auf einem neuen Zellendesign und einer modernen Dünnwafer-Technologie basieren die neuen SiC-MOSFETs für 650 V Durchbruchspannung, die ON Semiconductor nun vorgestellt hat. Dies soll die Schaltperformance und die Zuverlässigkeit verbessern.

ON Semiconductor hat eine neue Serie von Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC) mit 650 V Durchbruchspannung für anspruchsvolle Anwendungen im industriellen und Automotive-Bereich (AEC-Q101) vorgestellt. Darunter fallen beispielsweise On-Board-Ladegeräten (OBC) für Elektrofahrzeuge (EV), Solarwechselrichtern, Server-Netzteile (PSU), Telekommunikation und unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV).

Der NVBG015N065SC1, NTBG015N065SC1, NVH4L015N065SC1 und NTH4L015N065SC1 weisen laut Hersteller den branchenweit niedrigsten RDS(on) von 12 mΩ für Bausteine im D2PAK7L- und TO247-Gehäuse auf. Ihr Listenpreis liegt bei um die 14 US-Dollar.

Ein interner Gate-Widerstand RG bietet Entwicklern mehr Flexibilität, ohne die Bauelemente mit externen Gate-Widerständen künstlich verlangsamen zu müssen. Höhere Spannungsspitzen, Avalanche-Festigkeit und Robustheit bei Kurzschlüssen sollen zu einer höheren Zuverlässigkeit und längeren Lebensdauer der Bauelemente beitragen.

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