Infineon und Panasonic
Zweite GaN-Generation kommt 2023
Infineon und Panasonic haben vereinbart, im ersten Halbjahr 2023 eine zweite Generation von GaN-Transistoren auf den Markt zu bringen. Neben der einfacheren Steuerung des Transistors soll durch Umstellung auf 8-Zoll-Wafer das Preis-Leistungs-Verhältnis besser werden.
Infineon Technologies und die Panasonic haben eine Vereinbarung für die gemeinsame Entwicklung und Herstellung der zweiten Generation (Gen2) ihrer bewährten Galliumnitrid-Technologie (GaN) geschlossen. Diese soll eine höhere Leistungsdichte bieten, und zusammen mit der Fähigkeit, 8-Zoll-GaN-on-Si-Wafer zu produzieren, soll dies den strategischen Anspruch von Infineon unterstreichen, den wachsenden Bedarf an GaN-Leistungshalbleitern zu decken. Entsprechend den Marktanforderungen wird Gen2 als 650-V-GaN-HEMT entwickelt.
»Neben den gleichen hohen Zuverlässigkeitsstandards wie für Gen1 profitieren die Kunden der neuen Generation von einer noch einfacheren Steuerung des Transistors sowie einer wesentlich besseren Kostenposition durch die Umstellung auf eine 8-Zoll-Waferfertigung«, betont Andreas Urschitz, Divisionspräsident Power and Sensor Systems bei Infineon. Wie die gemeinsam entwickelten Gen1-Bauelemente mit den Bezeichnungen CoolGaN bei Infineon und X-GaN bei Panasonic basiert auch die zweite Generation auf der selbstsperrenden GaN-on-Silicon-Transistorstruktur.
»Wir freuen uns über die Erweiterung unserer Partnerschaft und Zusammenarbeit mit Infineon bei GaN-Komponenten. Im Rahmen des gemeinsamen Konzepts können wir Gen1- und Gen2-Bauteile mit hoher Qualität und auf der Basis neuester innovativer Entwicklungen anwenden«, so Tetsuzo Ueda, Associate Director of Engineering Division in der Industrial Solutions Company der Panasonic Corporation.
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