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5. Anwenderforum Leistungshalbleiter

SiC beschränkt sich nicht mehr nur auf Automotive und Solar

3. August 2021, 9:24 Uhr | Engelbert Hopf

Hochkarätige Keynotes zählen zu den Highlights des diesjährigen »Anwenderforums Leistungshalbleiter«. Internationale Experten geben Tipps zum optimalen Einsatz von Silizium-, SiC- und GaN-Leistungshalbleitern.

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Eine leistungsfähige Veranstaltungsplattform sorgt für einen einfachen und schnellen Informationsaustausch mit Referenten und Teilnehmern.

Pandemie-bedingt findet das »5. Anwenderforum Leistungshalbleiter« der Markt&Technik und der Design&Elektronik auch in diesem Jahr am 26. und 27. Oktober 2021 virtuell statt.

Bei der virtuellen Premiere dieser Veranstaltung im Vorjahr hatten insgesamt 100 Personen die Gelegenheit genutzt, sich über aktuelle Entwicklungen und Trends in der Leistungshalbeitertechnik zu informieren, bzw. wie sich die Komponenten am besten für die verschiedensten Applikationen nutzen lassen.

In diesem Jahr nun umfasst das Programm an beiden Tagen, inklusive der Keynotes, 21 Vorträge von insgesamt 15 Unternehmen und Forschungseinrichtungen. Es ist gelungen, insgesamt vier Keynote-Sprecher für dieses »Anwenderforum Leistungshalbleiter« zu gewinnen. So werden am ersten Veranstaltungstag zwei Top-Manager von Infineon Technologies die Keynotes halten: Andreas Urschitz, Division President Power & Sensor Systems, sowie Dr. Peter Friedrichs, Vice President SiC bei Infineon Technologies.

Dr. Peter Friedrichs eröffnet den ersten Veranstaltungstag um 9.30 Uhr mit seiner Keynote: »Futur Application Trends of SiC – No longer Limit to Solar and Automotive«. Andreas Urschitz führt dann um 13.00 Uhr in den zweiten Teil des Veranstaltungstages ein. Er wird in seiner Keynote voraussichtlich vor allem auf die Möglichkeiten von GaN eingehen.

Das Keynote-Speaker-Pärchen des zweiten Veranstaltungstages bilden Toni Versluijs, General Manager des Geschäftsbereichs MOSFETs und GaN-FETs von Nexperia, und Gregg Lowe, CEO von Cree/Wolfspeed. So eröffnet Toni Versluijs den zweiten Veranstaltungstag mit seiner Keynote: »GaN – Adressing the challenges of a booming power market«. Den Schlusspunkt des »5. Anwenderforum Leistungshalbleiter« wir dann voraussichtlich um 16.30 Uhr Gregg Lowe setzen und dabei auf die weitere Entwicklung im SiC-Bereich eingehen.

Wie auch in den vergangenen Jahren beschäftigt sich etwa die Hälfte der Vorträge mit den Möglichkeiten des Einsatzes von Wide-Bandgap-Bauteilen. Dabei konzentriert sich der erste Veranstaltungstag im Wesentlichen auf SiC, der zweite Veranstaltungstag bietet dann einige Vorträge zum Thema GaN. So geht etwa Frank Heidemann vom SET am ersten Veranstaltungstag auf das Testen von SiC-Bauelementen ein: »SiC Testing – dynamische Anforderungen an statische Tests«. Sumit Jadav von GeneSiCSemiconductor präsentiert einen Vortrag mit dem Titel: »A Hitchhiker´s Guide to SiC Power MOSFET Performance, Reliability and Cost Trade-offs«. STMicroelctronics steuert zudem am ersten Veranstaltungstag einen Vortrag bei mit dem Titel: »Running with SiC from Discretes to Modules – Performance Evolution on the same SiC-Die using 3-pin, 4-pin molded Modules and Power Modules«.

Am zweiten Veranstaltungstag setzt sich beispielsweise Dr. Richard Reiner vom Fraunhofer IAF in seinem Vortrag mit den Trends und Perspektiven der GaN-Leistungselektronik auseinander. Andy Smith von Power Integrations wirft in seinem Vortrag die Frage auf: »Could your application befit from GaN?«. Und Marco Palma von Efficient Power Conversion geht in seinem Vortrag auf »GaN Devices for Motor Drives Applications« ein. Neben den genannten Vorträgen, die sich mit Wide-Bandgap-Materialien beschäftigen, gibt es wieder eine ganze Reihe von Vorträgen renommierter Leistungshalbleiterhersteller, die sich mit Verbesserungen im Bereich klassischer Silizium-Dioden, -MOSFETs und -IGBTs beschäftigen.

Unterstützt wird das diesjährige »Anwenderforum Leistungshalbleiter« bislang vom Gold Sponsor Infineon Technologies. Zu den vortragenden Firmen und Instituten zählen Nexperia, Efficient Power Conversion, Power Integrations, STMicroelectronics, Alpha and Omega Semiconductor, Pre-Switch, SET, Littelfuse, Semikron, Rohm Semiconductor, Star Power, GeneSiC Semiconductor, Cree/Wolfspeed und das Fraunhofer IAF.

Nutzen Sie die Gelegenheit, melden Sie sich rechtzeitig an und profitieren Sie von den Early-Bird-Tarifen des »5. Anwenderforum Leistungshalbleiter«!