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Kostenloses Online-Berechnungstool für SiC-FETs

24. März 2021, 08:30 Uhr   |  Ralf Higgelke

Kostenloses Online-Berechnungstool für SiC-FETs
© UnitedSiC

FET-Jet Calculator ist ein Online-Tool für das Leistungsdesign hilft Ingenieuren bei der Ermittlung optimaler SiC-FET-Designlösungen.

FET-Jet Calculator heißt ein registrierungsfreies und kostenloses Online-Tool von UnitedSiC, das die Auswahl von Siliziumkarbid-FETs und den Leistungsvergleich in verschiedenen Leistungsanwendungen und Topologien erleichtern soll.

Mit FET-Jet Calculator sollen Ingenieure schnell und sicher Designentscheidungen mit den Siliziumkarbid-JFETs (SiC) von UnitedSiC treffen können. Um den optimalen Baustein für das gewünschte Leistungsdesign zu identifizieren, wählen die Anwender die entsprechende Anwendungsfunktion und Topologie aus, geben die Details ihrer Designparameter ein.

Basierend darauf berechnet das kostenlose und registrierungsfreie Tool automatisch den Schaltstrom, Wirkungsgrad und die Schaltverluste, kategorisiert nach Leitungs-, Einschalt- und Ausschaltwerten. Die Betriebstemperatur und Kühlkörperleistung sind als Eingaben enthalten, um die erwarteten Sperrschichttemperaturen darzustellen.

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© UnitedSiC

Screenshot zum Online-Tool FET-Jet Calculator

Die Benutzer können die Auswirkungen der wechselnden Leitungsmodi in den verschiedenen Topologien untersuchen, indem sie die Werte der Speicherinduktivität und der Schaltfrequenz variieren. Zusätzlich können einzelne oder parallel geschaltete Geräte ausgewählt werden, um die relative Gesamtleistung von Komponenten mit verschiedenen Nennströmen anzuzeigen.

Das Tool warnt, wenn eine Auswahl nicht angemessen ist, zum Beispiel wenn die Nennspannung für die gewählten Bedingungen und die Topologie nicht ausreicht, und hilft den Benutzern, schnell zu einer praktikablen Lösung zu gelangen.

Alle FETs und Schottky-Dioden von UnitedSiC können aus sortierbaren Tabellen ausgewählt werden, die Bauelemente in TO-220-, TO-247-, TO-247/4L-, DFN8x8-Gehäusen und die kürzlich eingeführten 750-V-Bausteine der vierten Generation des Unternehmens umfassen.

»Die Auswahl des richtigen Bausteins in der richtigen Leistungstopologie sollte kein Hindernis für Leistungsentwickler darstellen, die einen Wechsel zu Siliziumkarbid in Erwägung ziehen«, kommentiert Anup Bhalla, Vice President Engineering bei UnitedSiC. »Aus diesem Grund haben wir den FET-Jet Calculator ausgearbeitet. Für Ingenieure, die zum ersten Mal mit Siliziumkarbid arbeiten, oder für diejenigen, die nach dem besten SiC-Baustein für sich entwickelnde Designs suchen, ist der Calculator eine schnelle und einfache Möglichkeit, FETs von UnitedSiC in einer Vielzahl von Leistungstopologien zu evaluieren – und damit die Forschung und Entwicklung zu beschleunigen, da keine Zeit mit der Erstellung von hochentwickelten Simulationen für ungeeignete Bausteine verschwendet wird. Mit wenigen Klicks sind Sie auf dem richtigen Weg zu einem optimalen Design.«

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