7. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Zwei Tage rund um Silizium, SiC und GaN

6. November 2023, 9:00 Uhr | Engelbert Hopf
Insgesamt mehr als 80 Personen nahmen im letzten Jahr am Anwenderforum »Leistungshalbleiter« teil.
© Componeers GmbH

Sie wollen sich über den bestmöglichen und effizientesten Einsatz von Silizium-, SiC- und GaN-Leistungshalbleitern für Ihre Applikation informieren? Zwischen der PCIM Europe und der APEC bietet Ihnen das Anwenderforum »Leistungshalbleiter« der Markt&Technik dazu die beste Möglichkeit.

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Am 22. und 23. November findet im Novotel Messe München das diesjährige Anwenderforum »Leistungshalbleiter« statt. Zu den Highlights der zweitägigen Veranstaltung zählen sicher die beiden Keynotes von Jean-Christophe Eloy, CEO, President und Gründer des französischen Marktforschungsunternehmens Yole Groupe, und von Peter Sontheimer, Senior Vice President der Division Industry bei Semikron Danfoss. Zusammen mit den beiden Keynotes umfasst das zweitägige Veranstaltungsprogramm insgesamt 18 Vorträge unterschiedlicher Unternehmen.

Sontheimer und Eloy
Die Keynote-Speaker des diesjährigen Anwenderforums: Peter Sontheimer, Semikron Danfoss und Jean-Christoph Eloy, Yole Group (von links)
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Eröffnet wird der erste Tag um 9:45 Uhr mit der Keynote »Which are the driving Markets and Technologies in the Power Electronics Business«, von Jean-Christophe Eloy. Im weiteren Verlauf des Veranstaltungstages geht es dann vor allem um siliziumbasierte Leistungshalbleiter wie MOSFETs und IGBTs. So setzen sich etwa Aalok Bhatt und Faheem Zahid von Littelfuse mit der vergessenen MOS-Trilogie Linear MOSFETs, Depletion-MOSFETs sowie MOS-Gated Thyristors auseinander. Dimitrij Martins von Vishay Semiconductor wiederum beschäftigt sich in seinem Vortrag mit »Photovoltaic MOSFET Drivers for High Power Applications«.

Doch bereits am ersten Tag macht sich auch das Thema SiC im Vortragsprogramm bemerkbar. So beschäftigt sich Frank Heidemann von SET mit dem »applikationsnahen Testen von SiC-Leistungshalbleitern«. »Crosstalk and Prasitic Turn On of SiC MOSFET in Half Bridge Configuration« sind am frühen Abend dann das Thema von Fatih Cetindag von Onsemi. Und Tomas Krecek von Microchip setzt sich in seinem Vortrag mit »Switching Transients Under Control in SiC based Applications« auseinander. Im Anschluss daran klingt der erste Veranstaltungstag mit einem geselligen Get-Together aus, das die Gelegenheit zum intensiven Austausch mit anderen Teilnehmern, Ausstellern und Vortragenden bietet.

Den zweiten Veranstaltungstag eröffnet ebenfalls wieder um 9:45 Uhr Peter Sontheimer von Semikron Danfoss mit seiner Keynote »Silizium-Carbid-Schalter für Industrieanwendungen«. Im Anschluss daran steht der zweite Veranstaltungstag dann ganz im Zeichen der Wide-Bandgap-Materialien SiC und GaN. So beschäftigt sich Dr. Ignacio Lizama von Rohm Semiconductor mit dem Thema »SiC MOSFET and New Generation of IGBTs for Industrial General Purpose Motor Drive Applications«. »Enhancing Performances and Lowering Cost in Industrial Power Solutions with GaN Devices« lautet dann nach der Mittagspause der Vortrag von Christian Gasparini von Innoscience Europe.

LHL Forum
Fachgespräche bei der Mittagspause. Ob Silizium, SiC oder GaN, die Gespräche auf der Veranstaltung drehen sich vor allem um technische Features und die Verfügbarkeit der benötigten Bauelemente.
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Ebenfalls mit dem GaN beschäftigt sich Alfred Hesener von Navitas Semiconductor in seinem Vortrag »Reliability and Cost-of-ownership Optimization in Industrial Power Supplies«. Auf die Besonderheiten der lateralen Struktur von GaN-Bausteinen geht dann Andrea Bricconi von Cambridge GaN Devices mit »Lateral GaN Enables Smart Integration« ein. Und welche Möglichkeiten sich für den Einsatz von GaN jenseits des bekannten Einsatzes in Steckernetzteilen bietet, macht dann abschließend Doug Bailey von Power Integrations mit seinem Vortrag »Beyond the Adapter – The Use of GaN in Appliance, Industrial and Automotive Applications« deutlich.

Wie auch in der Vergangenheit wendet sich WEKA Fachmedien mit seinem Veranstaltungsprogramm in erster Linie an Systementwickler und technische Einkäufer, die für ihre Applikation vor der Wahl stehen, ob klassisches Silizium, oder doch SiC oder GaN die beste Lösung für sie ist. Auch wenn SiC hype und sexy sein mag, diese Technologie ist bei Weitem nicht für alle Applikationsfälle optimal. Wie Sie deshalb die beste und für Ihre Applikation passende Lösung finden, können Sie auf dem Anwenderforum Leistungshalbleiter unter anderem im regen Austausch mit Referenten, Ausstellern und anderen Teilnehmern erfahren.

Know-how-Transfer auf Augenhöhe, so lautet seit Beginn dieser Veranstaltungsreihe das Motto. Neben Tipps und Tricks für den sinnvollen Einsatz von SiC und Co. erschließen sich für Sie vielleicht auch neue Möglichkeiten des Sourcings für Ihre Bauelemente. Unterstützt wird das Anwenderforum Leistungshalbleiter in diesem Jahr von den Ausstellern STMicroelectronics, MPS Monolithic Power Systems, Finepower, onsemi, Hy-Line, Iwatsu Europe, PMK und Petermann-Technik.

Im letzten Jahr, als die Veranstaltung erstmals nach zwei Jahren Corona-bedingter virtueller Veranstaltungen wieder live stattfand, besuchten mehr als 80 Personen die Veranstaltung. Der Verlag freut sich darauf, Sie am 22. und 23. November im Novotel Messe München begrüßen zu dürfen. 


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