Video: Power Talk Leistungshalbleiter 3
800-V und SiC, bidirektionales 650-V-GaN und SuperQ-Technologie?
Markt&Technik-Chefreporter Engelbert Hopf sprach Anfang September 2025 mit Ole Gerkensmeyer, Nexperia, Florian Freund, Arrow Electronics, Thomas Grasshoff, Semikron Danfoss, und Dr. Stefan Hain, onsemi, über aktuelle Entwicklungen und Trends in der weltweiten Leistungshalbleiter-Branche.
Gleich zu Beginn des Jahres 2025 hatte der neue gewählte US-Präsident Donald Trump für ein kleines Auftragshoch in den Leistungselektronik gesorgt. Mit seiner Ankündigung Schutzzölle für Importe in die USA zu erheben, triggerte er kurzfristige Aufträge, um den später drohenden Zöllen zuvorzukommen. Dieses Strohfeuer war jedoch nur von kurzer Dauer. Aktuell gilt für Halbleiterexporte aus Europa in die USA ein Steuersatz von 15 Prozent. Das könnte sich aber noch ändern, das Damoklesschwert, das über der Branche hängt, heißt: Notice of Request for Public Comments on Section 232 National Security Investigation of Imports of Semiconductors and Semiconductor Manufacturing Equipment. Inzwischen ist die Anhörungsphase in den USA beendet. Es wird erwartet, dass die Ergebnisse dieser Kommission Ende 2025, Anfang 2026 bekannt gegeben werden. Das Ergebnis könnte sein, dass Halbleiterimporte, nicht nur aus Europa in die USA dann mit höheren Zöllen belegt werden, die Details dazu werden dann dem HTS Code zu entnehmen sein, der für jedes Produkt einen Tarifcode beinhaltet. Planungssicherheit im Hinblick auf die US-Zollpolitik könnte es für die weltweite Leistungshalbleiterbranche damit vielleicht erst Anfang nächsten Jahres geben.
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Power Talk Leistungshalbleiter 3: 800-V-Strukturen und SiC, bidirektionales 650-V-GaN und SuperQ-Technologie?
Ob die zukünftigen 800-V-Strukturen in Datencentern mit 400 oder 1200 V SiC-MOSFETs adressiert werden, oder anderen Bauteilen, wird die Zukunft zeigen. Auf jeden Fall sind sich die Diskussionsteilnehmer sicher, dass DC-Netze in von der kommenden Datencenter-Struktur und den dort benötigten Leistungsdichten profitieren werden. Großes Interesse sieht man auf Seiten der Distribution an den bidirektionalen 650-V-GaN-Leistungshalbleitern. Wie schnell sich daraus Applikationen im Bereich der Industrieelektronik ergeben werden, wird sich zeigen. Der SuperQ-Technologie gestehen die Diskussionsteilnehmer aus halbleiterphysikalischer Sicht ein großes Potenzial zu, da diese Technologie nicht nur auf Silizium beschränkt ist, sondern als nächstes durchaus auch in SiC-Leistungshalbleitern zum Einsatz kommen könnte.
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