Mitsubishi Electric ist eine strategische Kooperation mit Nexperia eingegangen, um in Zukunft gemeinsam SiC-Leistungshalbleiter für den Leistungselektronikmarkt zu entwickeln.
Mitsubishi Electric wird dabei seine Wide-Bandgap-Halbleitertechnologien nutzen, um SiC-MOSFET-Chips zu entwickeln und zu liefern, die Nexperia zur Entwicklung von diskreten SiC-Bauelementen nutzen wird.
Mitsubishi Electric bracht 2010 die weltweit ersten SiC-Leistungsmodule für Klimaanlagen auf den Markt, und war 2015 der erste Anbieter eines reinen SiC-Leistungsmoduls für Shinkansen-Hochgeschwindigkeitszüge. Mitsubishi Electric wird die Leistung und Qualität seiner SiC-Chips weiter vorantreiben und sich auf die Entwicklung von Leistungsmodulen mit eigenen Modultechnologien konzentrieren.
Mark Roeloffzen, SVP & General Manager Business Group Bipolar Discretes bei Nexperia kommentiert die Entwicklungs-Kooperation wie folgt: »Diese für beide Seiten vorteilhafte Strategische Partnerschaft mit Mitsubishi Electric stellt einen bedeutenden Schritt auf Nexperias Weg zu Siliziumkarbid dar. Mitsubishi Electric hat eine starke Erfolgsbilanz als Lieferant von technisch bewährten SiC-Bauteilen und -Modulen. In Kombination mit Nexperias hohen Qualitätsstandards und Fachkenntnissen in den Bereichen diskrete Produkte und Gehäuse werden wir mit Sicherheit positive Synergien zwischen beiden Unternehmen schaffen, die es unseren Kunden letztendlich ermöglichen, hoch energieeffiziente Produkte in den von ihnen bedienten Industrie-, Automobil- oder Verbrauchermärkten anzubieten«.
Masayoshi Takemi, Executive Officer und Group President, Semiconductor & Device bei Mitsubishi Electric stellt seine Sicht auf die Kooperation folgendermaßen dar: »Nexperia ist ein führendes Unternehmen im industriellen Sektor mit bewährten Technologien für hochwertige diskrete Halbleiter. Wir freuen uns sehr über diese gemeinsame Entwicklungspartnerschaft, die die Halbleitertechnologien beider Unternehmen nutzen wird«.