Entwicklung von SiC-Leistungshalbleitern

Mitsubishi und Nexperia kooperieren

4. Dezember 2023, 7:30 Uhr | Engelbert Hopf
Angesichts des immensen Bedarfs an SiC-Komponenten, steigen immer noch neue Anbieter in den Markt ein, die wie jetzt im Fall Nexperia, Kooperationen mit etablierten SiC-Spezialisten eingehen, um sich schneller am Markt etablieren zu können.
© Banana Images/stock.adobe.com

Mitsubishi Electric ist eine strategische Kooperation mit Nexperia eingegangen, um in Zukunft gemeinsam SiC-Leistungshalbleiter für den Leistungselektronikmarkt zu entwickeln.

Diesen Artikel anhören

Mitsubishi Electric wird dabei seine Wide-Bandgap-Halbleitertechnologien nutzen, um SiC-MOSFET-Chips zu entwickeln und zu liefern, die Nexperia zur Entwicklung von diskreten SiC-Bauelementen nutzen wird.    

Mitsubishi Electric bracht 2010 die weltweit ersten SiC-Leistungsmodule für Klimaanlagen auf den Markt, und war 2015 der erste Anbieter eines reinen SiC-Leistungsmoduls für Shinkansen-Hochgeschwindigkeitszüge. Mitsubishi Electric wird die Leistung und Qualität seiner SiC-Chips weiter vorantreiben und sich auf die Entwicklung von Leistungsmodulen mit eigenen Modultechnologien konzentrieren.

Mark Roeloffzen, SVP & General Manager Business Group Bipolar Discretes bei Nexperia kommentiert die Entwicklungs-Kooperation wie folgt: »Diese für beide Seiten vorteilhafte Strategische Partnerschaft mit Mitsubishi Electric stellt einen bedeutenden Schritt auf Nexperias Weg zu Siliziumkarbid dar. Mitsubishi Electric hat eine starke Erfolgsbilanz als Lieferant von technisch bewährten SiC-Bauteilen und -Modulen. In Kombination mit Nexperias hohen Qualitätsstandards und Fachkenntnissen in den Bereichen diskrete Produkte und Gehäuse werden wir mit Sicherheit positive Synergien zwischen beiden Unternehmen schaffen, die es unseren Kunden letztendlich ermöglichen, hoch energieeffiziente Produkte in den von ihnen bedienten Industrie-, Automobil- oder Verbrauchermärkten anzubieten«.

Masayoshi Takemi, Executive Officer und Group President, Semiconductor & Device bei Mitsubishi Electric stellt seine Sicht auf die Kooperation folgendermaßen dar: »Nexperia ist ein führendes Unternehmen im industriellen Sektor mit bewährten Technologien für hochwertige diskrete Halbleiter. Wir freuen uns sehr über diese gemeinsame Entwicklungspartnerschaft, die die Halbleitertechnologien beider Unternehmen nutzen wird«.


Lesen Sie mehr zum Thema


Das könnte Sie auch interessieren

Interview mit Jean-Christophe Eloy, Yole

Vertical GaN wird es nicht vor Ende dieses Jahrzehnts geben

Steigende Lieferzeiten und Frachtraten

Wie die Elektronikbranche auf die Krise im Roten Meer reagiert

GaN-Leistungselektronik von Innoscience

Bewährte Zuverlässigkeit zum wettbewerbsfähigen Preis

Aussichten für Leistungshalbleiter 2024

Wachstumstreiber Energie- und Automotive-Anwendungen

Bourns neue IGBT-Generation

Spezifikation von IGBTs für Elektromotorsteuerungen

GaN-Leistungselektronik von Innoscience

Bewährte Zuverlässigkeit zum wettbewerbsfähigen Preis

STMicroelectronics

MasterGaN-Familie mit 200 und 500 W

Infineon Technologies

Integrierter Temperatursensor

Bourns neue IGBT-Generation

Spezifikation von IGBTs für Elektromotorsteuerungen

Infineon sieht SiC-Zukunft bei Trench

»Das Gesamtpaket muss den Einsatzanforderungen entsprechen«

SiC-Technologie für schnelles Schalten

Überlegene Schaltleistung und Leistungskennzahlen

Milliarden-Investitionen für SiC

Der Wettlauf hat längst begonnen

650 V CoolMOS CFD7A im QDPAK-Gehäuse

Energieeffizientes Schnellladen von Elektrofahrzeugen

Es ist Zeit für das »Deutschlandtempo«

Erste Reaktionen auf das Verfassungsgerichtsurteil

650 V CoolMOS CFD7A

Energy-efficient Fast Electric Vehicle Charging

Oberseitig gekühlte MOSFETs

Höhere Leistungsdichte statt Überhitzung

Ausbau der Produktionskapazität

Fette Milliarden-Investitionen in SiC-Wafer- und Chips

Wide-Bandgap-Materialien im Fokus

Impulsstrompotenzial von SiC-FETs

Versorgungslage bei Leistungshalbleitern

»Alles läuft in die richtige Richtung«

Georg-Waeber-Innovationspreis

Charakterisierung von SiC-Wafern mit Röntgentopographie

3,3-kV-Full-SiC-Halbleitermodule

Höhere Schaltfrequenzen verringern Verluste

Power Integrations

PowiGaN-Technologie für Solarrennwagen

7. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Zwei Tage rund um Silizium, SiC und GaN

GaN könnte bald allgegenwärtig werden

»Ob SiC oder GaN, das entscheidet die Spannungsebene«

Nexperia will Umsatz vervierfachen

Produktion von SiC und GaN in Hamburg

Kommentar

In Zeiten des Goldrauschs

GaN-FETs für Schaltnetzteile

Durchstarten dank großer Bandlücke

Toshiba Electronics Europe

Automotive-MOSFETs im neuen Gehäuse

Advertorial

Bis zu 40% effizienter - TOSHIBA SIC-MOSFETs im 4-Pin Gehäuse

Uneinheitliche Versorgungssituation

»Alles rund um Energie-Transformation boomt«

ROHM Semiconductor

GaN-HEMT-Topologien für HD-LiDAR

200-mm-Wafer

Kapazitäten steigen auf Rekordwert

Mit CoolSiC zum modernen Elektroantrieb

Synergetische Kombination von drei Spitzentechnologien

onsemi

Was Sie über den Einsatz von IGBTs wissen müssen

Mögliche Ausfuhrbeschränkungen aus China

So reagiert die Halbleiterbranche auf die neuen Exportregeln

Schneider Electric

Blindleistungskompensation auf IGBT-Basis

Infineon

The world’s largest 200-mm SiC Power Fab

Elektronik für Solar-Wechselrichter

Onsemi sichert sich Lieferverträge in Milliardenhöhe

Infineon baut aus

Die weltweit größte 200-mm-»SiC Power Fab«

Onsemi/Magna

Liefervereinbarung und Investition in SiC-Fertigung

Infineon/SolarEdge

Mehrjährige Vereinbarung zur Kapazitätsreservierung

Nur langsame Entspannung

»SiC kennt keine Rezession!«

Infineon/Semikron Danfoss

Neuer Liefervertrag über Chips für Elektromobilität

Neue Gate-Treiber für GaN-FETs

Allegro verdoppelt Leistungsdichte

Renesas/Wolfspeed

10 Year Silicon Carbide Wafer Supply Agreement

Renesas/Wolfspeed

10-Jahres-Liefervertrag für SiC-Wafer

Nexperia

Enttäuschung über Aus bei EU-Förderprogramm

IPCEI-Förderung

EU genehmigt Milliarden für Chipfertigung in Europa

Jetzt kostenfreie Newsletter bestellen!

Weitere Artikel zu Nexperia

Weitere Artikel zu Mitsubishi Electric Semiconductor

Weitere Artikel zu Leistungshalbleiter-ICs