Infineon Technologies erweitert sein OptiMOS 5-Portfolio von Automotive-MOSFETs im Bereich 60 und 120 V. Sie sind in TOLL-, TOLG- und TOLT-Gehäusen untergebracht und bieten einen kompakten Formfaktor mit guten thermischen Eigenschaften in Verbindung mit gutem Schaltverhalten.
Die Elektrifizierung von Fahrzeugen im Straßenverkehr schreitet weiter voran. Neben PKW werden zunehmend auch Zwei- und Dreiradfahrzeuge sowie kleinere Leichtfahrzeuge elektrifiziert. Dementsprechend wird der Markt für elektronische Steuergeräte (ECUs), die mit 24 V bis 72 V betrieben werden, in den nächsten Jahren weiterwachsen.
Und genau darauf zielt Infineon mit seinen neuen Automotive-MOSFETs. Die sechs neuen Bauteile bieten laut Unternehmensangabe einen verringerten Intervall der Gate-Schwellenspannungen (V GS(th)), sodass Designs mit mehreren parallelgeschalteten MOSFETs für eine höhere Ausgangsleistung umgesetzt werden können. Bei den Produkten IAUTN06S5N008, IAUTN06S5N008G und IAUTN06S5N008T handelt es sich um 60 V MOSFETs, bei den Produkten IAUTN12S5N017, IAUTN12S5N018G und IAUTN12S5N018T um 120 V MOSFETs. Bei Letzteren reicht der Einschaltwiderstand (R DS(on)) von 1,7 bis 1,8 mΩ. Bei den 60 V MOSFETs liegt der R DS(on) bei 0,8 mΩ. Diese sind deshalb ideal für HV-LV-DCDC-Wandler in xEVs und für leistungsstarke CAV-Anwendungen geeignet, die mit 24 V versorgt werden. Die 120 V MOSFETs werden dagegen in mit 48 V bis 72 V gespeisten Traktionsumrichtern und Batterietrennschaltern für 2- oder 3-Rad-Fahrzeuge und leichte Elektrofahrzeuge eingesetzt.
Verfügbarkeit
Muster der neuen OptiMOS 5-Produkte können ab sofort bestellt werden.