Onsemi/Magna
Liefervereinbarung und Investition in SiC-Fertigung
onsemi und Magna gaben eine langfristige Liefervereinbarung bekannt, nach der Magna die EliteSiC-Leistungselektronik von onsemi in seine eDrive-Systeme integrieren wird.
Mit EliteSiC von onsemi erzielen die eDrive-Systeme von Magna eine bessere Kühlleistung sowie schnellere Beschleunigungs- und Laderaten, was die Effizienz verbessert und die Reichweite von Elektrofahrzeugen (EVs) erhöht. Die durchgängige Siliziumkarbid-/SiC-Fertigung von onsemi verbessert zusammen mit der Fähigkeit, die Produktion schnell hochzufahren, die vertikale Integration von Magna und vereinfacht die Lieferkette. Somit lässt sich die wachsende Nachfrage nach Magnas SiC-basierten Produkten für Elektrofahrzeuge decken.
Gemäß der Vereinbarung wird Magna außerdem rund 40 Mio. Dollar in die Beschaffung neuer SiC-Anlagen in den onsemi-Einrichtungen in New Hampshire und der Tschechischen Republik investieren, um den Zugang zu künftigen Lieferungen zu gewährleisten. Diba Ilunga, President Magna Powertrain, dazu: »Wir wissen, wie wichtig eine stabile Versorgung mit SiC-Bausteinen ist, um unseren Kunden weiterhin innovative und effiziente eDrive-Systeme anbieten zu können. Da der EV-Markt weiter wächst, ergreifen wir proaktive Maßnahmen, um den Zugang zu künftigen SiC-Lieferungen zu sichern, um unsere Elektrifizierungsstrategie zu unterstützen und den Wettbewerb zu übertreffen.«
Jobangebote+ passend zum Thema
Lesen Sie mehr zum Thema
Das könnte Sie auch interessieren
Angriff auf SiC- und GaN-Domäne
Infineon kündigt 400-V-Siliziumkarbid-MOSFET an
Interview mit Jean-Christophe Eloy, Yole
Vertical GaN wird es nicht vor Ende dieses Jahrzehnts geben
Bourns neue IGBT-Generation
Spezifikation von IGBTs für Elektromotorsteuerungen
GaN-Leistungselektronik von Innoscience
Bewährte Zuverlässigkeit zum wettbewerbsfähigen Preis
Infineon Technologies
Integrierter Temperatursensor
Bourns neue IGBT-Generation
Spezifikation von IGBTs für Elektromotorsteuerungen
Entwicklung von SiC-Leistungshalbleitern
Mitsubishi und Nexperia kooperieren
Infineon sieht SiC-Zukunft bei Trench
»Das Gesamtpaket muss den Einsatzanforderungen entsprechen«
SiC-Technologie für schnelles Schalten
Überlegene Schaltleistung und Leistungskennzahlen
Milliarden-Investitionen für SiC
Der Wettlauf hat längst begonnen
Ausbau der Produktionskapazität
Fette Milliarden-Investitionen in SiC-Wafer- und Chips
Versorgungslage bei Leistungshalbleitern
»Alles läuft in die richtige Richtung«
7. Anwenderforum Leistungshalbleiter
Zwei Tage rund um Silizium, SiC und GaN
GaN könnte bald allgegenwärtig werden
»Ob SiC oder GaN, das entscheidet die Spannungsebene«
Nexperia will Umsatz vervierfachen
Produktion von SiC und GaN in Hamburg
Kommentar
In Zeiten des Goldrauschs
onsemi/Renesas
Leistung und Sicherheit beim teilautomatisierten Fahren erhöhen
Uneinheitliche Versorgungssituation
»Alles rund um Energie-Transformation boomt«
7. Anwenderforum Leistungshalbleiter
Hohe Dynamik bei SiC und GaN
Mit CoolSiC zum modernen Elektroantrieb
Synergetische Kombination von drei Spitzentechnologien
onsemi
Was Sie über den Einsatz von IGBTs wissen müssen
Elektroautos werden immer besser…
…aber die Kunden sind immer unzufriedener
Infineon/Semikron Danfoss
Neuer Liefervertrag über Chips für Elektromobilität
Renesas/Wolfspeed
10-Jahres-Liefervertrag für SiC-Wafer
