Analyse von Yole Développement
2026 knackt GaN die 1-Milliarde-Dollar-Marke
Fortsetzung des Artikels von Teil 1
Wachstumsmärkte Datacom und Mobilität
Poshun Chiu, Technologie- und Marktanalyst mit Schwerpunkt auf Verbindungshalbleiter und neue Substrate bei Yole, blickt aber auch auf andere Endmärkte: »Im Bereich Telecom und Datacom, wo aufgrund strengerer Regulierungen für den Energiebedarf effizientere, kleinere Stromversorgungen benötigt werden, sind Betreiber von Rechenzentren und Telekommunikationseinrichtungen bereits an GaN-Bauteilen interessiert.«
Nachdem Eltek, Delta und BelPower in den letzten Jahren erste GaN-basierte Stromversorgungen in kleinen Stückzahlen eingeführt haben, erwartet Yole eine größere Marktdurchdringung von GaN mit einem Marktvolumen von 9,1 Mio. US-Dollar im Jahr 2020 und einem durchschnittlichen jährlichen Wachstum bis 2026 von 71 Prozent, sodass im Jahr 2026 mehr als 223 Mio. US-Dollar erreicht werden könnten (Bild 3).
Jobangebote+ passend zum Thema
»Der Automobil- und Mobilitätsmarkt befasst sich ebenfalls intensiv mit Galliumnitrid, da die Elektrifizierung von Autos stark vorangetrieben wird und das Interesse besteht, die Reichweite durch Optimierung des Systemwirkungsgrads zu erhöhen«, so Poshun Chiu weiter. Marktteilnehmer wie EPC, Transphorm, GaN Systems, Texas Instruments und Nexperia sind AEC-qualifiziert. STMicroelectronics zielt durch Partnerschaften und Übernahmen ebenfalls auf GaN für Elektroautos ab.
Ab 2022 dürfte Galliumnitrid in kleinen Volumina in Anwendungen wie On-Board-Ladegeräten und DC-DC-Wandlern Fuß fassen, hauptsächlich im Zusammenhang mit der Bemusterung durch OEMs und Tier-Ones. Yole erwartet, dass der Automobil- und Mobilitätsmarkt im Jahr 2026 mehr als 155 Mio. US-Dollar erreichen wird, wobei die durchschnittliche Wachstumsrate sagenhafte 185 Prozent betragen soll.
Skaleneffekte lassen Preise purzeln
»Während GaN seinen Aufstieg auf dem Massenmarkt für Endverbraucher fortsetzt, werden die Märkte für Telecom und Datacom sowie Automotive und Mobility vom Skaleneffekt und fallenden Preisen profitieren«, ist sich Ahmed Ben Slimane sicher. »In der Tat erwarten wir, dass an diesen Märkten, auf denen Zuverlässigkeit und Kosten an erster Stelle stehen, die Marktdurchdringung von GaN ab 2023 oder 2024 zunehmen wird.«
Auf lange Sicht kann Galliumnitrid in Fällen, in denen es seine Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit bei hohen Strömen zu einem niedrigeren Preis nachgewiesen hat, in den anspruchsvolleren Markt für Wechselrichter für Elektroauto/HEV und den konservativen Industriemarkt vordringen. Dies könnte für Galliumnitrid beachtliche Möglichkeiten für hohe Stückzahlen schaffen. So arbeiten beispielsweise Nexperia und VisIC an GaN-Angeboten für xEV-Wechselrichter, um mit Siliziumkarbid und Silizium zu konkurrieren.
- 2026 knackt GaN die 1-Milliarde-Dollar-Marke
- Wachstumsmärkte Datacom und Mobilität
Lesen Sie mehr zum Thema
Das könnte Sie auch interessieren
Vertikale GaN-Transistoren
Odyssey Semiconductor erreicht zwei Meilensteine
APEC 2022
Power Integrations setzt neuen Maßstab für 240-W-Netzteile
GaN-on-GaN-Epitaxial-Wafer
IVWorks übernimmt GaN-Wafertechnologie von Saint-Gobain
Chinesischer GaN-on-Si-Chiphersteller
Innoscience eröffnet Büros in den USA und Europa
Navitas Semiconductor
GaNFast-ICs nun auch für bis zu 20 kW
Power Integrations
Referenzdesign für ultrakompaktes 100-W-USB-Ladegerät
Wirkungsgrad und Ökologie
Effizientere Leistungswandler dank SiC-Transistoren
Navitas Semiconductor
Neue Generation von GaN-Power-ICs mit GaNSense-Technologie
Leistungshalbleiter
SiC-Bedarf explodiert
Kommentar
Da ist was in Bewegung!
GaN-Chipsatz
Kompakte Sperrwandler mit hohem Wirkungsgrad
Energieeinsparung im Schienenverkehr
SiC-Halbleitermodule für Bahnanwendungen
Die Applikation steht im Fokus!
SiC oder nicht SiC – das ist hier die Frage!
Leistungsanalysator der neuen Generation
Leistungsmessung von DC bis 5 MHz
Klimaneutrale Energieerzeugung
Brennstoffzellen effizient und vereinfacht testen
GaN-IC-Designwettbewerb des imec
Deutsche Hochschulen räumen ab
Platzbedarf und Verluste reduzieren
Ehrgeizige Pläne für die GaN-Produktfamilie
Wide Bandgap für die 5G-Infrastruktur
650-V-CoolSiC in modernen Telekommunikations-SMPS
Schnelles Tanken an der Stromtankstelle
Schnelles Laden von Elektrofahrzeugen durch CoolSiC
Marktanalyse von TrendForce
Navitas stößt Power Integrations vom GaN-Thron
ZVEI fordert sechs neue Halbleiter-Fabs
Markt für Leistungshalbleiter verdreifacht sich bis 2030
Power Integrations
Sperrwandler-IC mit integriertem USB-PD-Controller
5. Anwenderforum Leistungshalbleiter
Tipps und Tricks für den richtigen Einsatz
Automotive-Industrie
Auch Analog ist knapp
Infineon und Panasonic
Zweite GaN-Generation kommt 2023
Yole Développement
China drängt auf den MOSFET-Markt
5. Anwenderforum Leistungshalbleiter
Hochkarätige Keynote-Sprecher
Mikrocontroller
PSA-Certified-Level-3- und SESIP3-zertifiziert
Brückenlose Totem-Pole-PFC
SiC und GaN im direkten Vergleich
ZVEI: Deutsche Elektroindustrie
Deutliches Plus im ersten Halbjahr
Interview mit Dr. Peter Friedrichs
20 Jahre Siliziumkarbid bei Infineon
5. Anwenderforum Leistungshalbleiter
SiC beschränkt sich nicht mehr nur auf Automotive und Solar
STMicroelectronics
Erste 200-mm-SiC-Wafer produziert
ECPE SiC & GaN User Forum 2021
Verdrängen SiC und GaN die Silizium-Leistungshalbleiter?
Weitere Fertigungskapazitäten gesichert
Nexperia erwirbt Newport Wafer Fab
Vertikal integriert Fertigungskette
China bei SiC-Rohwafern nun unabhängig
Rohm Semiconductor
150-V-GaN-Transistor mit 8 V Gate-Spannung
Imec und Aixtron
GaN-Epitaxie für 1200-V-Anwendungen demonstriert
EPFL / Leistungselektronik
GaN-Nanotransistoren halten hohen Spannungen stand
Gate-Oxid-Zuverlässigkeit
Siliziumkarbid-MOSFETs im Stresstest
Verstärkte Anstrengungen im GaN-Bereich
»Wingtech bringt Nexperia auf ein neues Level«
