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GaNFast-ICs nun auch für bis zu 20 kW

Navitas, GaNFast, Gallium Nitride
© Navitas

Muster ihrer GaNFast-ICs für Leistungen von 2 kW bis 20 kW stellt Navitas nun zur Verfügung. Damit eignen sie sich für Anwendungen in Rechenzentren, Photovoltaik und Elektromobilität. Bislang lag der Fokus auf Ladegeräte für Smartphones, Tablets und Laptops bis 300 W.

Vor drei Jahren hat Navitas seine GaNFast-ICs erstmals für Kunden aus der Mobilfunkbranche vorgestellt. Nun ist diese GaN-IC-Technologie, die Ansteuerung, Regelung, Überwachung und Leistungselektronik monolithisch integriert, erstmals auch für Anwendungen im Leistungsbereich von 2 kW bis 20 kW verfügbar, also für Rechenzentren, Solarumrichter und Leistungselektronik in Elektrofahrzeugen. Bei den neuen Produkten, die derzeit als Muster verfügbar sind, handelt es sich um leistungsstärkere, thermisch optimierte Versionen der GaNFast-Plattform für 650/800 V, die bereits über 30 Millionen Mal ausgeliefert wurde und bei der es laut Hersteller keine gemeldeten Feldausfälle gab.

»Die Entwicklungsteams von Navitas haben pünktlich leistungsstarke Galliumnitrid-Power-ICs geliefert, um unsere Marktexpansion voranzutreiben«, freut sich Gene Sheridan, Gründungsmitglied und CEO. »Dies ist ein weiterer Schritt auf dem Weg, den wir in unserem Finanzplan für Investoren skizziert haben. Wir expandieren von unserer Position als Marktführer im Bereich mobiler Schnellladegeräte von 20 W bis 300 W in Richtung Hochleistungsanwendungen von 2 kW bis 20 kW und mehr.«

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Dan Kinzer, CTO von Navitas, zeigt einige High-Power-Demos aus den Bereichen Rechenzentren und On-Board Charging (OBC) für Elektrofahrzeuge.

Vor kurzem hat Navitas angekündigt, ein spezielles Designzentrum für Rechenzentren in Hangzhou einzurichten, und schätzt, dass eine Umstellung auf Galliumnitrid in Rechenzentren bis zu 40 Prozent Energie sparen und der Branche jährlich bis zu 1,9 Mrd. US-Dollar an Elektrizitätskosten im Vergleich zu herkömmlichen Siliziumlösungen ersparen würde.

Im Bereich Photovoltaik schätzt Navitas, dass GaN-Power-ICs die Kosten von Mikroumrichtern um 25 Prozent senken und dabei bis zu 40 Prozent Energie einsparen können, sodass sich die Installationskosten im Vergleich zu Silizium um mehr als 10 Prozent schneller amortisieren könnten.

Laut Navitas könnten GaNFast-Produkte im Bereich Elektromobilität eine dreifach schnellere Aufladung und 70 Prozent Energieeinsparung bieten, wodurch die Reichweite um fünf Prozent steigen oder die Kosten für Batterien um fünf Prozent sinken können. Die Einführung von Galliumnitrid könnte die weltweite Verbreitung von Elektrofahrzeugen um bis zu drei Jahre beschleunigen und bis 2050 eine Reduzierung der CO2-Emissionen im Straßenverkehr um 20 Prozent bewirken.


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