Nexperia: 100-V-MOSFETs für Automotive
CCPAK1212-Gehäuse erhöhen Leistungsdichte in 48-V-Designs
Nexperia stellt seine neuen AEC-Q101-qualifizierten 100-V-MOSFETs in kompakten, 12 x 12 mm großen CCPAK1212-Gehäusen mit Kupferclip vor. Die MOSFETs eignen sich gut für thermisch anspruchsvolle 48-V-Automobilanwendungen.
Automobilhersteller stellen derzeit rasch von 12-V- auf 48-V-Subsysteme um, ihr Ziel ist es dabei die Effizienz zu steigern, das Gewicht zu reduzieren und die Reichweite von xEV-Plattformen zu erhöhen. Bei diesen Hochleistungsanwendungen ist die Minimierung von Leitungsverlusten von entscheidender Bedeutung. Um dies zu erreichen, schalten Entwickler im Allgemeinen mehrere MOSFETs parallel, um die Leistungsanforderungen zu erfüllen. Ein Ansatz, der jedoch zu einer Erhöhung der Bauteilanzahl und des Platzbedarfs auf der Leiterplatte führen kann.
Mit dem Ziel, hier für Abhilfe zu sorgen, hat Nexperia jetzt seine AEC-Q101-qualifizierten 100-V-MOSFETs in kompakten CCPAK-Gehäusen mit Kupferclip vorgestellt. Mit ihrem sehr niedrigen RDS(on) von 0,99 mOhm und ihrer hohen Leistungsdichte reduzieren die Bauteile der neuen Baureihe den Bedarf an parallel geschalteten Bauelementen und sparen aufgrund ihrer kompakten Größe bis zu 40 Prozent auf der Leiterplatte im Vergleich zu herkömmlichen Alternativen in TOLL- oder TOLT-Gehäusen.
Durch die Kombination der neuen 100-V-AEC-Q101-Trench-Siliziumplattform der nächsten Generation mit der außergewöhnlichen thermischen Leistung (Rth(j-b) = 0.1 K/W) des von Nexperia entwickelten CCPAK1212-Gehäuses mit Kupferclip, wird der sehr niedrige RDS(on) von 0,99 mOhm ermöglicht. Zusammen bieten diese Eigenschaften die entscheidenden Vorteile, die in 48-V-Automobilsystemen erforderlich sind - hohe Strombelastbarkeit, überlegene Leistungsdichte und eine robuste Safe Operating Area-Bewertung von bis zu 400 A bei 100 V.
Um die Designflexibilität zu maximieren, sind die Bauelemente in einer umgekehrten, oben gekühlten (CCPAK1212i) und einer unten gekühlten (CCPAK1212) Version erhältlich. Damit können Ingenieure zwischen kompakten Layouts und einem optimierten Wärmemanagement wählen, das auf ihre Systemanforderungen zugeschnitten ist.
Neben anspruchsvollen 48-V-Automobilanwendungen, darunter Bordladegeräte, Traktionswechselrichter und Batteriemanagementsystemen, kommen die neuen MOSFETs auch in zwei- und dreirädrigen E-Mobilitätsfahrzeugen, DC/DC-Wandlern und industriellen Hochstrommodulen zum Einsatz, bei denen Effizienz und thermische Zuverlässigkeit gleichermaßen entscheidend ist.
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