Firma

Transphorm, Inc.

Siliziumkarbid bekommt Konkurrenz

Transphorm zeigt 1200-V-GaN-Transistor auf der ISPSD

Die neuesten Forschungsergebnisse für sein 1200-V-GaN-Bauelement wird Transphorm auf dem ISPSD im Mai 2022 vorstellen. Dieses Bauteil, das im Jahr 2023 bemustert werden soll, steht in direkter Konkurrenz zu SiC-MOSFETs.

Entwicklungskit von Diodes

130 W starkes USB-PD-Ladegerät nutzt SuperGaN-FETs von Transphorm

Das neue Evaluierungs- und Entwicklungskit für ein USB-PD-Ladegerät von Diodes kann bis zu…

Analyse von Yole Développement

2026 knackt GaN die 1-Milliarde-Dollar-Marke

Allein 2020 verdoppelte sich der Markt für GaN-basierte Leistungselektronik, getrieben von…

Keysight und Transphorm

Referenzdesign für GaN-basierte Totem-Pole-PFC-Stufe

Um die Produktkosten zu senken und die Markteinführung zu beschleunigen, haben Keysight…

Transphorm / Galliumnitrid

SuperGaN-FETs sind besser als SiC-MOSFETs

SuperGaN heißt die fünfte Bauteilgeneration von Transphorm. Der On-Widerstand liegt bei 15…

Galliumnitrid / Transphorm

Ist GaN wirklich zuverlässig?

Auch wenn Galliumnitrid (GaN) viele Vorteile zu bieten hat, bleiben Entwickler beim…

Großer Umsatzsprung erwartet

Neue Dynamik bei GaN-Halbleitern

Seit dem Ende letzten Jahres hat nun jeder Top-Ten-Hersteller siliziumbasierter…

TDK-Lambda

Netzteil nutzt GaN-Transistoren von Transphorm

Eines wesentliches Anwendungsgebiet für Galliumnitrid-HEMTs sind PFC-Stufen in der…

Anwenderforum Leistungshalbleiter

Intensive Schulung in Sachen MOSFET, IGBT & Co

Wie lässt sich das Maximum aus Leistungshalbleitern herausholen und welche Fehler sollte…

Anwenderforum Leistungshalbleiter

Intensive Schulung zu MOSFET & Co.

MOSFET & Co. sind Kernkomponenten jedes Netzteils, DC/DC-Wandlers oder Umrichters. Doch…