Firma

Transphorm, Inc.

Siliziumkarbid bekommt Konkurrenz

Transphorm zeigt 1200-V-GaN-Transistor auf der ISPSD

Die neuesten Forschungsergebnisse für sein 1200-V-GaN-Bauelement wird Transphorm auf dem ISPSD im Mai 2022 vorstellen. Dieses Bauteil, das im Jahr 2023 bemustert werden soll, steht in direkter Konkurrenz zu SiC-MOSFETs.

Entwicklungskit von Diodes

130 W starkes USB-PD-Ladegerät nutzt SuperGaN-FETs von Transphorm

Das neue Evaluierungs- und Entwicklungskit für ein USB-PD-Ladegerät von Diodes kann bis...

Analyse von Yole Développement

2026 knackt GaN die 1-Milliarde-Dollar-Marke

Allein 2020 verdoppelte sich der Markt für GaN-basierte Leistungselektronik, getrieben...

Keysight und Transphorm

Referenzdesign für GaN-basierte Totem-Pole-PFC-Stufe

Um die Produktkosten zu senken und die Markteinführung zu beschleunigen, haben Keysight...

Transphorm / Galliumnitrid

SuperGaN-FETs sind besser als SiC-MOSFETs

SuperGaN heißt die fünfte Bauteilgeneration von Transphorm. Der On-Widerstand liegt bei...

Galliumnitrid / Transphorm

Ist GaN wirklich zuverlässig?

Auch wenn Galliumnitrid (GaN) viele Vorteile zu bieten hat, bleiben Entwickler beim...

Großer Umsatzsprung erwartet

Neue Dynamik bei GaN-Halbleitern

Seit dem Ende letzten Jahres hat nun jeder Top-Ten-Hersteller siliziumbasierter...