Entwicklungskit von Diodes
130 W starkes USB-PD-Ladegerät nutzt SuperGaN-FETs von Transphorm
Das neue Evaluierungs- und Entwicklungskit für ein USB-PD-Ladegerät von Diodes kann bis zu 130 W abgeben. Es basiert auf einem Sperrwandler mit aktiver Klemmung und nutzt SuperGaN-FETs von Transphorm. Der maximale Wirkungsgrad liegt bei über 93,5 Prozent.
Für USB Type-C Power Delivery (PD) 3.0 hat Diodes ein komplettes Kit für ein Ladegerät auf den Markt gebracht. Es kombiniert die ACF-Controller (Active Clamp Flyback) von Diodes mit den SuperGaN-Bauelementen der vierten Generation von Transphorm und PFC-Stufe am Eingang. Im Vergleich zu E-Mode-GaN- und Silizium-basierten Systemen bietet die Lösung laut Hersteller eine Standby-Leistung von maximal 43 mW und einen maximalen Wirkungsgrad von über 93,5 Prozent zu optimierten Systemkosten (Bill of Materials). Die Lösung soll die Anforderungen der DOE VI und COC Tier 2 an den Wirkungsgrad übertreffen.
In USB-PD-Ladeanwendungen können die ACF-Lösungen von Diodes eine höhere Performance als herkömmliche Sperrwandler erbringen und deutlich niedrigere Kosten als resonante LLC-Halbbrückenlösungen bieten. Das Kit nutzt drei zentrale Controller von Diodes und zwei SuperGaN-FETs von Transphorm:
- Der AP3306: Ein hochintegrierter ACF-Controller, der über umfassende Schutzfunktionen verfügt.
- Der APR340: Ein MOSFET-Treiber für die sekundärseitige Synchrongleichrichtung.
- Der AP43771V: Ein USB-Typ-C-PD-3.0-Controller mit On/Off-N-Kanal-MOSFET-Steuerung und Schutzfunktionen. Er verfügt über eine integrierte MCU, die über einen virtuellen, mehrfach programmierbaren Bereich verfügt und verschiedene Schnelllade-Stromprofile unterstützt.
- Zwei TP65H150G4LSG: Dies sind 650-V-SuperGaN-Bausteine mit einem Einschaltwiderstand von 150 mΩ, jeweils einer für die PFC- und die ACF-Stufe.
Dieses Kit ist ab sofort auf Anfrage bei Diodes erhältlich.
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