Startseite > Halbleiter > Leistungshalbleiter > Infineon kooperiert mit Rohm

Gehäuse für SiC-Leistungshalbleiter

Infineon kooperiert mit Rohm

25. September 2025, 9:31 Uhr | Iris Stroh

Links: Dr. Peter Wawer (Division President Green Industrial Power bei Infineon); rechts: Dr. Kazuhide Ino (Mitglied des Vorstands, Managing Executive Officer, verantwortlich für das Power Devices Geschäft bei Rohm)

Infineon und Rohm haben eine Absichtserklärung (MoU) unterzeichnet, um wechselseitig als zweite Bezugsquelle (Second Source) für Kunden zu agieren, die SiC-Leistungshalbleiter nutzen. So können Entwickler einfach zwischen den Produkten der Partner wechseln.

▶ Diesen Artikel anhören

Die SiC-Bausteine wandern in Anwendungen wie Onboard-Ladegeräten, Photovoltaik, Energiespeichersystemen und KI-Rechenzentren. Die Partner wollen wechselseitig als zweite Bezugsquelle (Second Source) für Kunden fungieren, die ausgewählte Gehäuse für SiC-Leistungshalbleiter nutzen. Damit steigt die Flexibilität der Kunden bei Design und Beschaffung, denn in Zukunft können sie Bauteile mit kompatiblen Gehäusen sowohl von Infineon als auch von Rohm beziehen. Die Zusammenarbeit zwischen den beiden Unternehmen stellt eine nahtlose Kompatibilität je nach spezifischem Kundenbedarf sicher.

Im Rahmen der Vereinbarung übernimmt Rohm die Top-Side-Cooling-Plattform für SiC von Infineon, einschließlich der TOLT, D-DPAK, Q-DPAK, Q-DPAK dual und H-DPAK-Gehäuse. Die Top-Side-Cooling-Plattform von Infineon bietet diverse Vorteile, darunter eine Standardhöhe von 2,3 mm für alle Gehäuse. Das vereinfacht das Design und senkt die Kühlkosten, ermöglicht eine effizientere Platzausnutzung auf der Leiterplatte und eine bis zu doppelt so hohe Leistungsdichte.

Gleichzeitig wird Infineon basierend auf dem DOT-247-Gehäuse von Rohm mit SiC-Halbbrückenkonfiguration ein kompatibles Produkt entwickeln. Damit erweitert Infineon sein kürzlich angekündigtes Double-TO-247-IGBT-Portfolio um SiC-Halbbrückenlösungen. Das DOT-247-Gehäuse von Rohm bietet eine höhere Leistungsdichte und reduziert den Montageaufwand im Vergleich zu Standard-Einzelgehäusen. Durch die einzigartige Struktur, die zwei TO-247-Gehäuse integriert, lassen sich der Wärmewiderstand um etwa 15 Prozent und die Induktivität um 50 Prozent im Vergleich zum TO-247 reduzieren. Diese Vorteile ermöglichen eine 2,3-fache Leistungsdichte.

Infineon und Rohm planen, ihre Zusammenarbeit künftig auf weitere Gehäuse für Silizium- und Wide-Bandgap-Leistungshalbleitertechnologien wie SiC und GaN auszuweiten.