Toshiba Electronics
SiC-Cube
3. Mai 2023, 9:52 Uhr |
Engelbert Hopf
Toshiba Electronics Europe stellt auf der Messe unter anderem den SiC-Cube vor, der mit Abmessungen von 140 × 140 × 210 mm3 eine sehr hohe Leistungsdichte erreicht.
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Der Multi-Level-Ansatz der Bridge-Leg-Boards erlaubt den Einsatz von 650-V-MOSFETs anstelle von 1200-V-MOSFETs und ermöglicht somit eine kostengünstigere modulare PFC-Implementierung als andere Komponenten. Darüber hinaus wird durch die Multi-Level-Implementierung der Spannungshub über jedem MOSFET reduziert, was die Leistungsverluste reduziert. Durch die Kombination aus DC/DC-Wandler-Hardware und PFC ergibt sich eine Off-Board-Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge, während das Hinzufügen von Wechselrichter-Hardware den Anforderungen bei der Erzeugung erneuerbarer Energien gerecht wird.
Das SiC-Cube-Proof-of-Concept wurde im High-Voltage-Labor von Toshiba in Düsseldorf entwickelt und nutzt die 3. Generation der SiC-MOSFETs von Toshiba. Durch 3D-Stacking wird eine sehr kompakte Bauform erreicht.
Toshiba Electronics Europe, Halle 9, Stand 503
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