Startseite > Automotive > Elektromobilität > 40 V-MOSFETs mit hoher Strombelastbarkeit

Im L-TOGL-Gehäuse

40 V-MOSFETs mit hoher Strombelastbarkeit

31. Januar 2023, 12:57 Uhr | Irina Hübner

Toshiba stellt zwei neue 40 V-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Automotive-Anwendungen vor. Durch ihr L-TOGL-Gehäuse und die daraus resultierende bessere Wärmeableitung könnend die MOSFETs höhere Ströme handhaben.

▶ Diesen Artikel anhören

Der XPQR3004PB und der XPQ1R004PB zeichnen sich durch ihre hohen Drain-Stromwerte (400 A für den XPQR3004PB und 200 A für den XPQ1R004PB) sowie durch überzeugende Durchlasswiderstandswerte (0,3 mΩ für den XPQR3004PB und 1 mΩ für den XPQ1R004PB) aus.

Beide MOSFET-Varianten sind im L-TOGL (Large Transistor Outline Gull Wing Leads) -Gehäuse untergebracht. Die Source- und die externen Anschlüssen werden mit einem Kupferclip direkt miteinander verbunden. Eine Multi-Pin-Struktur für die Source-Leitungen reduziert den Gehäusewiderstand (und die damit verbundenen Verluste) um etwa 70 % im Vergleich zum bewährten TO-220SM(W)-Gehäuse.

Der Drain-Strom (ID) des XPQR3004PB ist deshalb um 60 % höher als der des TKR74F04PB, der im TO-220SM(W)-Gehäuse ausgeliefert wird. Darüber hinaus reduziert der dicke Kupferrahmen den Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse deutlich. Dieser beträgt 0,2 °C/W für den XPQR3004PB und 0,65 °C/W für den XPQ1R004PB. Das erleichtert die Wärmeableitung, senkt die Betriebstemperaturen und erhöht die Zuverlässigkeit.

Der XPQR3004PB und der XPQ1R004PB sind für den Einsatz in anspruchsvollen Automotive-Anwendungen bei Temperaturen bis 175°C vorgesehen und sind AEC-Q101-qualifiziert. Ihre Gull-Wing-Anschlüsse reduzieren Belastungen bei der Montage und gestatten eine einfache visuelle Inspektion.

Beim Einsatz in Hochstromanwendungen im Automobilbereich, zum Beispiel in integrierten Starter-Generatoren (ISG), vereinfachen der XPQR3004PB und XPQ1R004PB das Design, da eine geringere Anzahl von MOSFETs benötigt wird.

Die Serienfertigung beider Bauelemente hat bereits begonnen.