Für 5 Milliarden Euro baut Infineon Technologies am Standort Dresden eine Smart Fab, die auf 300-mm-Silizium-Wafern ab 2026 neben MOSFETs und IGBTs vor allem Mixed-Signal-Bausteine fertigen wird.
Gemeinsam mit EU-Kommissionspräsidentin Ursula von der Leyen, Bundeskanzler Olaf Scholz und Sachens Ministerpräsident Michael Kretschmer, setzte Jochen Hanebeck, Vorstandsvorsitzender Infineon Technologies, vor 400 geladenden Gästen den symbolischen Spatenstich für den Bau der vierten Halbleiter-Fab auf dem Infineon-Gelände im Norden Dresdens. Mit einem geplanten Investitionsvolumen von 5 Milliarden Euro, stellt das neue Werk die größte Einzelinvestition in der bisherigen Infineon-Geschichte dar.
"Mit dem Spatenstich leistet Infineon einen wichtigen Beitrag zum grünen und digitalen Umbau unserer Gesellschaft", so Hanebeck, "der globale Halbleiterbedarf wird angesichts der hohen Nachfrage nach erneuerbaren Energien, Rechenzentren und Elektromobilität stark und anhaltend wachsen". "Mit dem neuen 300-mm-Werk werden wir die Nachfrage unserer Kunden in der zweiten Hälfte des Jahrzehnts bedienen können", versichert Hanebeck und nährt damit die Hoffnung vieler Anwender aus dem Industrie- und Automotive-Bereich, dass sich die Versorgungssituation mit MOSFETs und IGBTs in naher Zukunft entspannen wird.
"In Zeiten wachsender geopolitischer Risiken ist es eine großartige Nachricht für Europa, dass Infineon in Dresden massiv in die Produktion von Halbleitern investiert", erklärte von der Leyen. "Wir brauchen mehr solcher Projekte bei uns in Europa, weil der Bedarf an Mikrochips weiter rasant steigt. Die EU-Kommission und die Mitgliedsstaaten nehmen im Rahmen des European Chips Act in den nächsten Jahren 43 Milliarden Euro in die Hand, um Europa im Digitalbereich stärker und widerstandsfähiger zu machen".
"Chips sind die Grundlage aller wesentlichen Transformationstechnologien - vom Windpark bis zur Ladesäule. Wir begrüßen es, dass Infineon weiter in Deutschland investiert und unser Land als einen der weltweit bedeutendsten Halbleiterstandorte weiter stärkt", betonte Scholz anlässlich des symbolischen Spatenstichs, "die in Dresden gefertigten Chips tragen dazu bei, Arbeitsplätze zu sichern und unsere Industrie - vom Mittelstand bis zum Großkonzern - widerstandsfähiger zu machen. Hier entstehen die Bauteile, die es für die anstehenden Investitionen in umweltfreundliche Technologien braucht".
"Die Investition von Infineon stärkt Europa, Deutschland und den Wirtschaftsstandort Sachsen", betonte Kretschmer. "Der Bau des neuen Werkes sichert und schafft hochwertige Arbeitsplätze in Dresden. Gleichzeitig steigt die Attraktivität des Silicon Saxony als Kompetenzstandort für die globale Halbleiterindustrie. Der Freistaat Sachsen unterstützt dieses einzigartige Ökosystem durch Investitionen in die Wissenschaft seit Jahren".
Die neue Fertigung wird eng mit dem Standort in Villach als "One Virtual Fab" verbunden sein. Dieser Fertigungsverbund für Leistungselektronik auf Basis der hocheffizienten 300-mm-Technologie, steigert die Effizienz und eröffnet Infineon zusätzliche Flexiblität, Kunden schneller beliefern zu können.
Die wirklichen Bauarbeiten werden im Sommer dieses Jahres beginnen. Der Bau des Fertigungsgebäudes startet dann im Herbst dieses Jahres. Die Ausstattung der Shell mit dem nötigen Fertigungs-Equipment soll dann ab dem Frühjahr 2025 beginnen. Mit dem Start der Serienproduktion von MOSFETs, IGBTs und Mixed-Signal-Bausteinen rechnen die Verantwortlichen in Dresden dann ab dem Herbst 2026.