Spatenstich für neues Infineon-Werk

Produzieren, produzieren, produzieren!

3. Mai 2023, 15:44 Uhr | Engelbert Hopf
Symbolischer Spatenstich für das neue 300-mm-Werk von Infineon Technologies in Dresden mit Michael Kretschmer, Ursula von der Leyen, Jochen Hanebeck, Olaf Scholz und Dirk Hilbert, Oberbürgermeister von Dresden. (v.l.n.r.)
© Infineon Technologies

Für 5 Milliarden Euro baut Infineon Technologies am Standort Dresden eine Smart Fab, die auf 300-mm-Silizium-Wafern ab 2026 neben MOSFETs und IGBTs vor allem Mixed-Signal-Bausteine fertigen wird.

Diesen Artikel anhören

Gemeinsam mit EU-Kommissionspräsidentin Ursula von der Leyen, Bundeskanzler Olaf Scholz und Sachens Ministerpräsident Michael Kretschmer, setzte Jochen Hanebeck, Vorstandsvorsitzender Infineon Technologies, vor 400 geladenden Gästen den symbolischen Spatenstich für den Bau der vierten Halbleiter-Fab auf dem Infineon-Gelände im Norden Dresdens. Mit einem geplanten Investitionsvolumen von 5 Milliarden Euro, stellt das neue Werk die größte Einzelinvestition in der bisherigen Infineon-Geschichte dar. 

"Mit dem Spatenstich leistet Infineon einen wichtigen Beitrag zum grünen und digitalen Umbau unserer Gesellschaft", so Hanebeck, "der globale Halbleiterbedarf wird angesichts der hohen Nachfrage nach erneuerbaren Energien, Rechenzentren und Elektromobilität stark und anhaltend wachsen". "Mit dem neuen 300-mm-Werk werden wir die Nachfrage unserer Kunden in der zweiten Hälfte des Jahrzehnts bedienen können", versichert Hanebeck und nährt damit die Hoffnung vieler Anwender aus dem Industrie- und Automotive-Bereich, dass sich die Versorgungssituation mit MOSFETs und IGBTs in naher Zukunft entspannen wird. 

"In Zeiten wachsender geopolitischer Risiken ist es eine großartige Nachricht für Europa, dass Infineon in Dresden massiv in die Produktion von Halbleitern investiert", erklärte von der Leyen. "Wir brauchen mehr solcher Projekte bei uns in Europa, weil der Bedarf an Mikrochips weiter rasant steigt. Die EU-Kommission und die Mitgliedsstaaten nehmen im Rahmen des European Chips Act in den nächsten Jahren 43 Milliarden Euro in die Hand, um Europa im Digitalbereich stärker und widerstandsfähiger zu machen".

"Chips sind die Grundlage aller wesentlichen Transformationstechnologien  - vom Windpark bis zur Ladesäule. Wir begrüßen es, dass Infineon weiter in Deutschland investiert und unser Land als einen der weltweit bedeutendsten Halbleiterstandorte weiter stärkt", betonte Scholz anlässlich des symbolischen Spatenstichs, "die in Dresden gefertigten Chips tragen dazu bei, Arbeitsplätze zu sichern und unsere Industrie - vom Mittelstand bis zum Großkonzern - widerstandsfähiger zu machen. Hier entstehen die Bauteile, die es für die anstehenden Investitionen in umweltfreundliche Technologien braucht".

"Die Investition von Infineon stärkt Europa, Deutschland und den Wirtschaftsstandort Sachsen", betonte Kretschmer. "Der Bau des neuen Werkes sichert und schafft hochwertige Arbeitsplätze in Dresden. Gleichzeitig steigt die Attraktivität des Silicon Saxony als Kompetenzstandort für die globale Halbleiterindustrie. Der Freistaat Sachsen unterstützt dieses einzigartige Ökosystem durch Investitionen in die Wissenschaft seit Jahren".

Die neue Fertigung wird eng mit dem Standort in Villach als "One Virtual Fab" verbunden sein. Dieser Fertigungsverbund für Leistungselektronik auf Basis der hocheffizienten 300-mm-Technologie, steigert die Effizienz und eröffnet Infineon zusätzliche Flexiblität, Kunden schneller beliefern zu können. 

Die wirklichen Bauarbeiten werden im Sommer dieses Jahres beginnen. Der Bau des Fertigungsgebäudes startet dann im Herbst dieses Jahres. Die Ausstattung der Shell mit dem nötigen Fertigungs-Equipment soll dann ab  dem Frühjahr 2025 beginnen. Mit dem Start der Serienproduktion von MOSFETs, IGBTs und Mixed-Signal-Bausteinen rechnen die Verantwortlichen in Dresden dann ab dem Herbst 2026. 


Lesen Sie mehr zum Thema


Das könnte Sie auch interessieren

Globaler Leistungshalbleiter-Bedarf

Wettlauf um den Ausbau der Fertigungskapazitäten

SiC-Technologie für schnelles Schalten

Überlegene Schaltleistung und Leistungskennzahlen

3,3-kV-Full-SiC-Halbleitermodule

Höhere Schaltfrequenzen verringern Verluste

Uneinheitliche Versorgungssituation

»Alles rund um Energie-Transformation boomt«

7. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Hohe Dynamik bei SiC und GaN

Mit CoolSiC zum modernen Elektroantrieb

Synergetische Kombination von drei Spitzentechnologien

onsemi

Was Sie über den Einsatz von IGBTs wissen müssen

Nur langsame Entspannung

»SiC kennt keine Rezession!«

Megatrends als Bedarfstreiber

»Wir prüfen laufend einen Ausbau unserer Fertigungskapazitäten«

Tiny Machine Learning

Infineon kauft Imagimob

Milliardeninvestition in Dresden

»Mehr Dampf auf den Kessel«!

Leistungshalbleiter

So entsteht ein SiC-Wafer

Leistungshalbleiter

Energieeffizienter schweißen

ZF und Wolfspeed

Neues Forschungszentrum im Großraum Nürnberg

Für beidseitig gekühlte Leistungsmodule

Rohm stellt ultraflachen 12-W-Metallplatten-Shunt-Widerstand vor

Kompakter, modularer Inverter

Standard-Bauelemente bilden die Basis

EliteSiC-Leistungsbausteine von onsemi

Langfristiger Liefervertrag mit Zeekr unterzeichnet

TrendForce-Analyse zu Siliziumkarbid

E-Mobilität und Erneuerbare als Hauptmärkte

Siliziumkarbid-Halbleiter

ZF schließt langfristigen Vertrag mit STMicroelectronics

Interview mit Dr. Peter Wawer, Infineon

Kapazitäten von Si auf SiC umgewidmet

Einkäufer sehen leichte Entspannung

Versorgungslage bessert sich, Preise sinken nur vereinzelt

Leistungs-MOSFETs im Linearbetrieb

Sicherer Arbeitsbereich ausgeweitet

Infineon Technologies

Industrie-Sparte heißt jetzt »Green Industrial Power«

Kernbereiche wachsen kräftig

Infineon erhöht Umsatz-Prognose

SiC-Fab von Wolfspeed im Saarland

Kampfansage an STMicroelectronics und Infineon

Schaltungssimulation mit SiC-Bauteilen

MPLAB SiC Power Simulator

SiC-MOSFETs für Luftkernmotoren

Infineon kooperiert mit Infinitum

Ankündigung von Tesla zu Siliziumkarbid

75 Prozent weniger SiC ist kein Drama

Mitsubishi Electric

Neue Wafer-Fab für SiC-Leistungshalbleiter

Automotive-Vereinbarung

Infineon lässt 40-nm-eNVM-Mikrocontroller von UMC fertigen

Konsolidierung bei Galliumnitrid

Infineon will GaN Systems für 830 Mio. Dollar übernehmen

Hochautomatisierte vernetzte Fahrzeuge

Infineon leitet Forschungsinitiative für Hochleistungsrechner

Ex-VW-Chef Diess

Zum Aufsichtsratschef bei Infineon gewählt

Infineon Technologies

Startschuss für neue 300-mm-Fab in Dresden

Interview mit Adam White, Infineon

»Wir wollen Dekarbonisierung und Digitalisierung vorantreiben«

Kommentar / Neue Waferfab von Wolfspeed

Verliebt ins Saarland

Wolfspeed und ZF

SiC-Waferfab für ca. 3 Mrd. Euro kommt ins Saarland

Profitables erstes Quartal

Infineon steigert Ergebnis

Neue Einsatzgebiete für Galliumnitrid

Raus aus der Consumer-Nische

Jetzt kostenfreie Newsletter bestellen!

Weitere Artikel zu Infineon Technologies AG

Weitere Artikel zu Leistungshalbleiter-ICs

Weitere Artikel zu Leistungsmodule