Mitsubishi Electric
Neue Wafer-Fab für SiC-Leistungshalbleiter
Ihren bisherigen 5-Jahres-Investitionsplan hat Mitsubishi Electric nun auf umgerechnet rund 1,8 Mrd. Euro verdoppelt. Dazu gehört auch eine neue Chipfabrik für 200-mm-SiC-Wafer, um die die steigende Nachfrage zu decken.
Mitsubishi Electric hat angekündigt, seinen bereits angekündigten Investitionsplan für den Zeitraum von fünf Jahren bis März 2026 auf rund 260 Mrd. Yen (1,8 Mrd. Euro) zu verdoppeln. Ein großer Teil der erhöhten Investitionen, etwa 100 Mrd. Yen (690 Mio. Euro), wird für den Bau einer neuen 8-Zoll-SiC-Wafer-Fab und die Erweiterung der zugehörigen Produktionsanlagen verwendet. Das neue Werk, zu dem eine bereits bestehende Anlage in der Region Shisui in der Präfektur Kumamoto gehört, wird SiC-Wafer mit 200 mm Durchmesser (8 Zoll) prozessieren und einen Reinraum umfassen, der sich laut Mitsubishi durch höchste Energieeffizienz und einen hohen Automatisierungsgrad in der Produktion auszeichnet. Darüber hinaus wird das Unternehmen seine Produktionsanlagen für 6-Zoll-SiC-Wafer ausbauen.
Darüber hinaus wird Mitsubishi Electric rund 10 Mrd. Yen (69 Mio. Euro) in eine neue Fertigungsstätte für die Montage und Prüfung von Leistungshalbleitern investieren, wodurch die in der Region Fukuoka verstreuten Betriebe zusammengezogen werden sollen. Die Integration von Design, Entwicklung und Prüfung der Fertigungstechnik soll die Entwicklungskapazitäten des Unternehmens erheblich verbessern und eine zeitnahe Massenproduktion als Reaktion auf die Marktnachfrage ermöglichen. Die verbleibenden 20 Mrd. Yen (140 Mio. Euro), allesamt Neuinvestitionen, sind für die Erweiterung der Anlagen, für Umweltschutzmaßnahmen und damit verbundene Tätigkeiten bestimmt.
Jobangebote+ passend zum Thema
Lesen Sie mehr zum Thema
Das könnte Sie auch interessieren
3,3-kV-Full-SiC-Halbleitermodule
Höhere Schaltfrequenzen verringern Verluste
Megatrends als Bedarfstreiber
»Wir prüfen laufend einen Ausbau unserer Fertigungskapazitäten«
Milliardeninvestition in Dresden
»Mehr Dampf auf den Kessel«!
Spatenstich für neues Infineon-Werk
Produzieren, produzieren, produzieren!
Neue Potenziale für Elektrofahrzeuge
Entwicklung von Onboard-Ladegeräten für künftige Elektrofahrzeuge
PCIM Europe 2023
Nachhaltigkeit in der Leistungselektronik
Hy-Line Power Components
Leistung bereitstellen, schalten und speichern
Toshiba Electronics
SiC-Cube
TrendForce-Analyse zu Siliziumkarbid
E-Mobilität und Erneuerbare als Hauptmärkte
Interview mit Dr. Peter Wawer, Infineon
Kapazitäten von Si auf SiC umgewidmet
SiC-Fab von Wolfspeed im Saarland
Kampfansage an STMicroelectronics und Infineon
SiC-MOSFETs für Luftkernmotoren
Infineon kooperiert mit Infinitum
Ankündigung von Tesla zu Siliziumkarbid
75 Prozent weniger SiC ist kein Drama
Microchip Technology
Erweiterung der SiC und Si-Kapazitäten
Infineon Technologies
Startschuss für neue 300-mm-Fab in Dresden
Wolfspeed und ZF
SiC-Waferfab für ca. 3 Mrd. Euro kommt ins Saarland
Forschungserfolg von Toshiba
SiC-MOSFET mit optimierter eingebetteter Schottky-Diode
Neue SiC-MOSFET-Generation von Rohm
Tiefe Einblicke in die Gen 4
Wolfspeed verzehnfacht Kapazität
Mehrere Milliarden Dollar für neue SiC-Materialfabrik
SiC – eine Bestandsaufnahme (Teil 1)
Wie SiC-MOSFETs langfristig günstiger werden
onsemi expandiert bei Siliziumkarbid
Neue SiC-Boule-Fertigung erhöht Kapazität um das Fünffache
Interview mit Prof. Leo Lorenz, PCIM
Von neuen Wegen bei Siliziumkarbid bis zum European Chips Act
Siliziumkarbid-MOSFETs
Infineon präsentiert verbesserte CoolSiC-Technologie
