Startseite > Halbleiter > Leistungshalbleiter > Infineon will GaN Systems für 830 Mio. Dollar übernehmen

Konsolidierung bei Galliumnitrid

Infineon will GaN Systems für 830 Mio. Dollar übernehmen

3. März 2023, 7:03 Uhr | Ralf Higgelke

Jochen Hanebeck, CEO von Infineon (links), und Jim Witham, CEO von GaN Systems (rechts), wollen die Zukunft von Galliumnitrid gemeinsam fortschreiben.

Für 830 Millionen US-Dollar will Infineon Technologies den Galliumnitrid-Spezialisten GaN Systems erwerben. Damit will der Marktführer bei Leistungshalbleitern sein GaN-Portfolio stärken und seine Führungsposition bei Power-Systems weiter ausbauen.

▶ Diesen Artikel anhören

Infineon Technologies und GaN Systems haben einen Vertrag unterzeichnet, demzufolge der Münchner Chipriese den kanadischen GaN-Spezialisten für 830 Millionen US-Dollar erwerben wird. GaN Systems ist ein weltweiter Technologieführer bei der Entwicklung von GaN-basierten Lösungen für die Energiewandlung. Das Unternehmen hat seinen Hauptsitz in Ottawa, Kanada, und beschäftigt mehr als 200 Mitarbeitende. Die geplante Übernahme von GaN Systems wird aus den vorhandenen liquiden Mitteln finanziert. Die Transaktion unterliegt den üblichen Abschlussbedingungen und behördlichen Genehmigungen.

»Die GaN-Technologie ebnet den Weg für weitere effiziente und CO₂-sparende Lösungen, die die Dekarbonisierung unterstützen. Anwendungen wie mobiles Laden, Stromversorgung von Rechenzentren, Solarwechselrichter für Privathaushalte und Onboard-Ladegeräte für Elektrofahrzeuge stehen kurz vor dem Durchbruch und führen zu einem dynamischen Marktwachstum«, sagte Jochen Hanebeck, Vorstandsvorsitzender von Infineon. »Die geplante Übernahme von GaN Systems wird unsere GaN-Roadmap dank unübertroffener F&E-Ressourcen, einem umfassenden Applikationsverständnis und einer Vielzahl von Kundenprojekten deutlich beschleunigen. Im Einklang mit unserer Strategie stärkt diese Akquisition die Führungsposition von Infineon im Bereich Power-Systems, die wir durch Beherrschung aller relevanten Energietechnologien unterstreichen – sei es auf Silizium, Siliziumkarbid oder Galliumnitrid.«

Jim Witham, CEO von GaN Systems, sagte: »Das Team von GaN Systems freut sich darauf, unter dem Dach von Infineon zu einem differenzierenden Kundenangebot beizutragen, indem wir unsere komplementären Stärken bündeln. Durch die beiderseitigen Erfahrungen mit hochwertigen Lösungen werden wir das Potenzial von GaN optimal ausschöpfen. Die Foundry-Korridore von GaN Systems und die internen Fertigungskapazitäten von Infineon bieten in ihrer Kombination maximale Wachstumschancen, um den beschleunigten Einsatz von GaN in zahlreichen Zielmärkten zu bedienen. Ich bin sehr stolz auf das, was GaN Systems bisher erreicht hat, und freue mich darauf, diese Erfolgsgeschichte mit Infineon fortzuschreiben. Infineon ermöglicht es uns in seiner Eigenschaft als Integrated Device Manufacturer, unser volles Potenzial ausschöpfen.«

Marktanalysten erwarten, dass der Umsatz mit GaN-Produkten für Leistungsanwendungen bis 2027 um 56 Prozent jährlich (CAGR) auf ca. 2 Milliarden US-Dollar steigt (Quelle: Yole, Compound Semiconductor Market Monitor-Module I Q4 2022). Damit dürfte sich Galliumnitrid neben Silizium und Siliziumkarbid zu einem entscheidenden Material für Leistungshalbleiter, in Verbindung mit neuen Topologien wie Hybrid Flyback und Multi-Level-Implementierungen, entwickeln.

Mit der Investition von mehr als 2 Milliarden Euro in eine neue Frontend-Fabrik in Kulim, Malaysia, hatte Infineon bereits im Februar 2022 einen erheblichen Ausbau seines Engagements im Bereich Wide-Bandgap sowie eine weitere Stärkung seiner Marktposition angekündigt. Die ersten Wafer werden die Fertigung in der zweiten Hälfte des Jahres 2024 verlassen und ergänzen die bestehenden Wide-Bandgap-Fertigungskapazitäten von Infineon in Villach, Österreich.