Schaltungs- und Prozessebene
Die Kombination der Bereiche schafft Innovationsmöglichkeiten
Fortsetzung des Artikels von Teil 1
Weitere neue Verfahren
Welche Fortschritte im Bereich der Schaltungstechnik möglich sind, zeigt beispielsweise Nvidia. Das Unternehmen hat einen Beschleuniger für das Inferenzieren auf Basis einer 5-nm-CMOS-Technik entwickelt, der das Problem überwindet, dass Beschleuniger typischerweise bei einer hohen Genauigkeit auch eine hohe Leistungsaufnahme aufweisen bzw. eine geringe Genauigkeit zu einer falschen Klassifizierung führen kann. Deshalb schlagen die Entwickler eine neue Methode vor: eine datenabhängige Vektorskalierung, sodass arithmetische Aufgaben bei 4 bit mit einem Genauigkeitsverlust von lediglich 0,7 Prozent durchgeführt werden können, was wiederum zu einer Leistungseffizienz von 95,6 TOPS/W führt.
Samsung stellt ein neues Verfahren zur On-Chip-Fehlerkorrektur (ECC) in seinen HBM3-DRAMs vor. Damit lassen sich die Latenzzeiten verringern und die Datenraten im Vergleich zur vorherigen Generation von 5 Gbit/s auf 8 Gbit/s erhöhen, mit einer Gesamtspeicherbandbreite von 1024 GB/s pro Speicherwürfel. Intel wiederum hat für seine Intel-4-Prozesstechnik noch ein energieeffizientes 6T-SRAM-Design vorgestellt, das für eine Zelle eine Fläche von 0,03 µm2 benötigt, gleichzeitig eine ähnliche Leistung wie 8T-Zellen aufweist und im Vergleich zu bisherigen 6T-Designs die dynamische Leistungsaufnahme um den Faktor 5,6 reduziert.
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Das Symposium, in Präsenz und online
Das Symposium on VLSI Technology and Circuits findet vom 13. bis 17. Juni in Honolulu statt, die Online-Variante läuft vom 20. bis zum 21. Juni. In diesem Jahr haben sich die Veranstalter erstmals dazu entschlossen, die ehemals getrennten Symposien für Technologie und Schaltungen zu einem zu verschmelzen. Die Konferenz trägt das Motto: »Technologie und Schaltungen für die kritische Infrastruktur der Zukunft«. Bislang haben sich 568 Teilnehmer für die Präsenzveranstaltung angemeldet, 490 wollen virtuell teilnehmen.
Es wurden für den Technologiebereich insgesamt 217 Vorträge (über 50 Prozent aus dem akademischen Umfeld) eingereicht, wobei Neale Dutton, Publicity Chair für den Circuits-Bereich, betont, dass in diesem Jahr die Anzahl der Vorträge aus dem Memory- und New-Computing-Bereich stark zugenommen hat, gleichzeitig aber weniger Vorträge aus dem Bereich Prozesstechnik eingegangen sind. Im Bereich Circuits wurden 332 Vorträge eingereicht, auch hier der Großteil aus dem universitären Umfeld. Neben den regulären Sessions in beiden Bereichen gibt es in diesem Jahr auch gemeinsame Sessions sowie vier Plenary-Vorträge von SK Hynix, ASML, Qualcomm und TSMC.
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