Rohm Semiconductor plant Investitionen

»Wir legen unseren Fokus auf Analog-Power- und Power-Produkte«

1. Juni 2021, 8:00 Uhr | Engelbert Hopf

Fortsetzung des Artikels von Teil 1

SiC-Kapazitäten deutlich steigern

Rohm hat in den letzten zwei Jahren angekündigt, seine SiC-Produktion massiv zu erweitern. Wie weit sind diese Pläne inzwischen konkret fortgeschritten?

Wie haben bereits vor einigen Monaten den Bau eines neuen Gebäudes innerhalb unseres Apollo-Werks im japanischen Chikugo fertiggestellt. Mit diesem Werk werden wir unsere SiC-Produktionskapazitäten deutlich steigern. Derzeit wird das nötige Equipment eingebracht, um die Produktion Ende 2021 zu beginnen. Insgesamt plant Rohm, in den nächsten fünf Jahren Gesamtinvestitionen in Höhe von 400 Milliarden Yen, etwa 3 Milliarden Euro, zu tätigen. Ein nicht zu vernachlässigender Teil wird in den Ausbau von SiC-Kapazitäten investiert.

Können Sie ein Verhältnis zwischen Industrie- und Automotive-Applikationen im SiC-Bereich für Europa nennen?

Beide Applikationsbereiche sind im Hinblick auf den Einsatz von SiC sehr interessant. Aufgrund der ambitionierten Ziele der Automobilhersteller für die Produktion von Elektroautos gehe ich davon aus, dass das größere Volumen auch langfristig im Automotive-Bereich zu finden sein wird. Zudem sehen wir aber auch in der Industrie spannende Projekte und erwarten – insbesondere im Bereich der Infrastruktur für die E-Mobilität und der alternativen Energien – ein großes Wachstum.

Rohm nutzte in den letzten Jahren den Imagefaktor Formel E für die weitere Entwicklung und Marktdurchdringung im SiC- und Inverterbereich. Wird dieses Engagement fortgesetzt?

Unserer Meinung nach sind die Vorteile von SiC – insbesondere im Inverter-Bereich – inzwischen unumstritten. Diese Technologie ist ausgereift und hat auch außerhalb der Rennstrecken inzwischen alle anfänglichen Kritiker überzeugt. Für uns war es eine spannende Erfahrung, mit der Formel E zusammenzuarbeiten, um unsere Produkte unter Extremanforderungen in der Praxis zu testen. Inzwischen ist SiC in der Formel E und dem Automobilmarkt angekommen. Deshalb haben wir dieses Engagement beendet.

Im Herbst letzten Jahres wurde deutlich, dass verschiedene Hersteller in Zukunft neben 1700-, 1200- und 900-V-SiC-MOSFETs auch 750/700-V-SiC-MOSFETs auf den Markt bringen wollen. Verfolgt Rohm ebenfalls dieses Ziel?

Ja, wir sehen durchaus Potenzial für 750-V-SiC-MOSFETs, insbesondere im Automotive-Segment für 400-V-Batteriesysteme. Unsere Gen4-SiC-MOSFETs wird es als 1200-V- und dann auch als 750-V-Version geben.

Mit welchen weiteren Neuerungen ist in Sachen SiC-MOSFETs noch zu rechnen?

Wir entwickeln heute bereits die fünfte Generation unserer SiC-MOSFETs. Es gibt immer noch weitere Optimierungsmöglichkeiten. Wir sind hier noch nicht an einem Punkt angelangt, an dem wir uns den theoretischen Grenzen nähern wie etwa bei den Si-IGBTs. Mit der fünften Generation streben wir eine Reduktion des RDSon von 30 Prozent gegenüber der vierten Generation an. Für die Massenproduktion der fünften Generation visieren wir das Jahr 2025 an.

Rohm ging im Frühjahr 2018 eine strategische Entwicklungskooperation mit GaN Systems ein. Wie weit sind die Entwicklungsanstrengungen in dieser Kooperation inzwischen fortgeschritten? Wie sieht die weitere Strategie im GaN-Segment aus?

Der Hauptzweck der Zusammenarbeit mit GaN Systems bestand darin, den Markt für GaN-Leistungshalbleiter gemeinsam zu erweitern. Wir dachten, dass wir den GaN-Markt schneller erschließen können, indem wir die Stärken beider Unternehmen bündeln. Durch die Entwicklung von GaN-Bauelementen, die sich durch Hochfrequenzbetrieb im mittleren Spannungsbereich auszeichnen, werden wir im Power-Bereich in der Lage sein, eine noch breitere Palette an Lösungen anzubieten. So werden wir ab September Produktmuster unserer neuen 150-V-GaN-Produkte zur Verfügung stellen. Wir setzen auf SiC-Bauteile für den hohen Spannungsbereich und GaN-Bauteile als Ergänzung für den mittleren Spannungsbereich. Darüber hinaus entwickeln wir auch weitere Generationen Super-Junction-MOSFETs und IGBTs.

Seit Mai 2020 führt Isao Matsumoto als neuer CEO und President Rohm. Hat er sich für die Zukunft auch eine stärke Diversität zum Ziel gesetzt?

Rohms Unternehmenskultur befindet sich im Wandel. Im Mai 2021 stellte unser japanisches Headquarter seinen „Medium-Term Management Plan“ vor. Darin wird auch Stellung zu dem wichtigen Thema Diversität genommen. So will Rohm zum Beispiel den Anteil an weiblichen Führungskräften – im japanischen Hauptsitz und weltweit – erhöhen und Management-Positionen in den verschiedenen Regionen verstärkt lokal rekrutieren. Wir freuen uns, dass diese positiven Entwicklungen an unserem europäischen Standort bereits stattfinden.