DRAMs statt NAND-ICs
Samsung steigt aus 2D-NAND-Produktion aus
Samsung Electronics wird die Produktion von 2D-NAND-Flash-Speichern in seiner 12-Zoll-Linie in Hwaseong einstellen, um dort künftig Speicher-ICs mit Hilfe fortschrittlicherer Prozesse wie 1c-DRAMs zu fertigen.
Endfabrik umwandeln, wodurch das Unternehmen offiziell aus der Herstellung von planaren NAND-Speichern aussteigt und Kapazitäten für fortschrittliche Speicherknoten umverteilt.
Samsung wolle den Betrieb der 12-Zoll-Linie bereits im März 2026 einstellen, berichtet Digitimes unter Berufung auf Branchenquellen. Die Hwaseong-Linie 12 hat eine monatliche Kapazität von 80.000 bis 100.000 Wafern. Die Kunden wurden über die Schließung im Jahr 2025 informiert, was mit der Prognose von Samsung für das vierte Quartal übereinstimmt, die alte planare NAND-Technologie auslaufen zu lassen und die Investitionen auf fortschrittliche Prozesse zu verlagern. Die nun wegfallende Kapazität in Hwaseong soll durch Investitionen in das Werk in Xi'an in China kompensiert werden. Dort produziert Samsung 40 Prozent der NAND-Flash-Speicher. Derzeit wird die Fertigung in Xi'an auf 200-Layer-3D-NAND-ICs aufgerüstet.
Die Schließung beendet die 2D-NAND-Ära von Samsung. Das Unternehmen begann 2002 mit der Massenproduktion von 1-Gb-NAND und führte 2013 mit einem 24-Layer-Stack den Branchenwechsel zu 3D-V-NAND an. Dreizehn Jahre nach der Einführung von 3D-NAND schließt Samsung nun seine letzte Planar-Produktionslinie.
3D verdrängt planare NAND-ICs
Planarer NAND wurde hauptsächlich in kostengünstigen Speicherprodukten wie USB-Sticks verwendet. Die Nachfrage ging zurück, als die Anbieter die Umstellung auf 3D-NAND abgeschlossen hatten. Denn durch vertikales Stapeln von Layern konnten die Speicherdichten gegenüber planaren NAND-ICs deutlich erhöht werden.
Auch Micron und SK Hynix haben zwischen 2020 und 2022 ihre Umstellung auf vollständige 3D-Portfolios abgeschlossen und die Produktion von planaren MLC-Speichern aufgrund veränderter Kostenstrukturen reduziert.
DRAMs für HBM4 statt NAND-ICs
Die Hwaseong-Linie baut Samsung für die Fertigung von 1c-DRAMs um und erhöht die Investitionen sowohl dort als auch in Pyeongtaek. Die P4-Fab, die ursprünglich sowohl für die Produktion von DRAMs als auch für NAND-ICs sowie als Foundry konzipiert war, hat ihren Schwerpunkt kürzlich auf DRAMs verlagert.
Die Produktionsumstellung steht im Einklang mit der Strategie von Samsung, die HBM4-Produktion hochzufahren. Die 1c-DRAMs werden in den HBM4-Stacks übereinandergestapelt und mit einem 4-nm-Logik-Chip kombiniert. Samsung hat die Stückzahlfertigung von HBM4-DRAM-Modulen bereits aufgenommen, die Geschwindigkeiten von über 11,7 Gb/s erreichen und damit den JEDEC-Standard von 8 Gbit/s übertreffen.
HBM-Umsatz soll 2026 verdreifacht werden
Samsung erwartet, dass sich der HBM-Umsatz im Jahr 2026 gegenüber dem Vorjahr mehr als verdreifachen wird, und erweitert seine Kapazitäten.
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