CoolSiC
Toyota setzt auf SiC-Halbleiter von Infineon
Erfolg für Infineon Technologies: Toyota setzt in seinem neuen bZ4X-Modell die CoolSiC-MOSFETs ein. Die SiC-MOSFETs werden im On-Board-Ladegerät (OBC) und dem DC/DC-Wandler eingesetzt.
Die CoolSiC-MOSFETs von Infineon verfügen über eine besondere Trench-Gate-Struktur, die den normierten Durchlasswiderstand sowie die Chipgröße reduziert. Dadurch lassen sich sowohl die Leitungs- als auch die Schaltverluste verringern, was zu einer höheren Effizienz in Automotive-Leistungssystemen beiträgt. Darüber hinaus ermöglichen die optimierte parasitäre Kapazität und Gate-Schwellenspannung eine unipolare Gate-Ansteuerung. Dies vereinfacht Ansteuerungsschaltungen für den elektrischen Antriebsstrang von Fahrzeugen und unterstützt ultrakompakte und hochzuverlässige Designs für OBCs und DC/DC-Wandler.
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