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GaN-Leistungshalbleiter

onsemi und GlobalFoundries arbeiten zusammen

19. Dezember 2025, 8:18 Uhr | Iris Stroh

onsemi und GlobalFoundries haben eine Zusammenarbeit vereinbart, um neue eMode-GaN-Leistungshalbleiter auf Basis des 200-mm-GaN-on-Si-Fertigungsprozesses von GlobalFoundries zu entwickeln. Die ersten Produkte dieser Zusammenarbeit sollen für eine Spannung von 650 V ausgelegt sein.

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onsemi ist überzeugt, dass die Kooperation die Umsetzung der eigenen Roadmap für Hochleistungs-GaN-Komponenten und integrierte Leistungsstufen beschleunigen wird, mit der der wachsende Leistungsbedarf von KI-Rechenzentren, Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energien, industriellen Systemen sowie Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, Verteidigung und Sicherheit adressiert werden soll.

Dinesh Ramanathan, Senior Vice President of Corporate Strategy bei onsemi, kommentiert: »Diese Zusammenarbeit vereint onsemis System- und Produktexpertise mit dem fortschrittlichen GaN-Prozess von GlobalFoundries, um neue 650-V-Leistungshalbleiter für wachstumsstarke Märkte bereitzustellen. In Kombination mit unseren Silizium-Treibern und -Controllern ermöglichen diese GaN-Produkte unseren Kunden, kleinere und effizientere Leistungssysteme für KI-Rechenzentren, Elektrofahrzeuge, Raumfahrtanwendungen, etc. zu entwickeln. Wir planen, in der ersten Hälfte des Jahres 2026 erste Muster an Kunden auszuliefern und anschließend zügig in die Serienproduktion zu skalieren.« Und Mike Hogan, Chief Business Officer von GlobalFoundries, verweist zusätzlich darauf, dass dank der eigenen Fertigung in den USA durch diese Zusammenarbeit auch widerstandsfähige Lieferketten für die genannten Märkte entstehen.

onsemi will die 650-V-GaN-Leistungstransistoren durch eigene Silizium-Treiber, Controller und thermisch optimierte Gehäuse ergänzen. Damit adressiert das Unternehmen integrierte Power-Stages, die in Stromversorgungen und DC/DC-Wandlern für KI-Rechenzentren, Elektrofahrzeuge, erneuerbare Energien sowie Industrie- und Raumfahrtanwendungen eingesetzt werden.

Mit dieser Initiative erweitert onsemi sein Portfolio an Leistungshalbleitern, das nun das vollständige Spektrum an GaN-Technologien umfasst – von nieder-, mittel- und hochspannungsfähigen lateralem GaN bis hin zu ultrahochspannungsfähigem vertikalem GaN. Onsemi plant, in der ersten Hälfte 2026 mit der Bemusterung zu beginnen.