Höhere Effizienz und Lebensdauer
SiC-Leistungsmodule im EasyPack C-Gehäuse
Schnelles Laden von Elektrofahrzeugen mit Gleichstrom und andere industrielle Anwendungen geschehen oft unter rauen äußeren Bedingungen und schwankenden Lastprofilen. Auf diese Anforderungen reagiert Infineon Technologies jetzt mit der Vorstellung der EasyPack-C-Gehäuse.
Diese neuen Produkte basieren auf der CoolSiC MOSFET G2-Technologie von Infineon und ermöglichen Designs mit einer mehr als 30 Prozent höheren Leistungsdichte und einer bis zu 20-mal längeren Lebensdauer im Vergleich zur vorherigen Generation von CoolSiC MOSFETs. Darüber hinaus bieten die neuen Produkte eine deutliche Verringerung des RDS(on) mit einer Verbesserung von rund 25 Prozent. Zudem erhöht das neue EasyPack-C-Gehäusekonzept die Leistungsdichte, ermöglicht flexiblere Layouts und ebnet den Weg für zukünftige Designs mit höheren Spannungsklassen.
Die Module halten Überlast-Schaltbedingungen bis zu 200 °C stand. Neue PressFIT-Pins verdoppeln die Strombelastbarkeit, senken die Temperatur auf der Leiterplatte und erleichtern den Montageprozess. Ein neues Kunststoffmaterial und Silikongel unterstützen Betriebstemperaturen von bis zu +175 °C. Darüber hinaus bieten die Module eine Isolationsleistung von 3 kV AC für eine Minute. Erhältlich sind die neuen Module im EasyPack C-Gehäuse in verschiedenen Topologien, darunter 3-Level- und H-Brücken-Konfigurationen, sowie mit und ohne Wärmeleitmaterial.
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