Beck Elektronik Bauelemente

Komplettes Power-Programm

2. Mai 2025, 7:00 Uhr | Engelbert Hopf
Lösungen für die verschiedensten Applikationen im Leistungselektronikbereich zeigt Beck Elektronik auf der PCIM.
© Beck Elektronik

In Nürnberg stehen am PCIM-Stand von Beck Elektronik leistungsstarke Komponenten für die Zukunft der Energieumwandlung und -verteilung im Fokus.

Diesen Artikel anhören

Zu den Highlights, die das 100-jährige Unternehmen auf der Messe ausstellt, gehört unter anderem das Hochstromrelais NE200 von HKE. Entwickelt wurde es für hohe Schaltströme bis 55 A bei 830 VAC und Dauerströme bis 200 A. Es bietet eine Isolationsspannung bis zu 5000 VAC und eine Lebensdauer von bis zu 30.000 elektrischen Schaltzyklen. Ebenfalls auf der Messe zu sehen sind DC-Link-Kondensatoren in Form von Snap-in-Kondensatoren von CapXon und Chemi-Con mit Spannungen von 450 bis 700 V sowie Folienkondensatoren von Iskra und ZhongXing für Anwendungen bis 1200 V. Mit einer breiten Auswahl an Leistungsmodulen vom IGBT bis SiC, mit Schraubanschluss, Pressfit oder Pinfins deckt Beck Elektronik verschiedenste Applikationen im Leistungselektronikbereich ab. 

Halle 7, Stand 100


Lesen Sie mehr zum Thema


Das könnte Sie auch interessieren

Cambridge GaN Devices

Industrieveteran Robin Lyle wird VP für Forschung und Entwicklung

Infineon Technologies

Erweiterung der OptiMOS-6-Familie

Ein Übergangsjahr mit großem Potenzial

Stromversorgungsbranche rechnet mit einstelligem Wachstum 2025

Vishay entwickelt Lösungen

DC-Netze erobern die Welt

Schukat electronic

Umfassendes Produktspektrum

Rohm Semiconductor

Highlights für E-Mobility und Industrial

Optimierung parasitärer Effekte

Evaluierungsboard reduziert Streuinduktivität mit SiC-MOSFETs

Mersen

Powermanagement für die Energiewende

Efficient Power Conversion

100-V-GaN-Leistungstransistoren

PCIM Expo & Conference 2025

Mehr Aussteller, mehr Hallen, mehr Vorträge

Live auf der PCIM

Wie MEMS-Relais die Effizienz drastisch steigern

Sorgfältige Abstimmung ist notwendig

RMS-Ströme bei Eingangskondensatoren richtig berücksichtigen

Rohm

SiC-Power-Module mit hoher Leistungsdichte

Advertorial: Littelfuse

Thermisch gealterte Silikongele in Leistungshalbleitermodulen

Tanaka Precious Metal Technologies 

Miniaturisierung bei Kontaktbändern für Signalrelais

Heraeus auf der PCIM

Neue Materialien für die Leistungselektronik

Weltweiter Anstieg des Energieverbrauchs

Wie Siliziumkarbid die Energiesysteme verändert

Infineon Technologies

Erste GaN-Transistorfamilie mit integrierter Schottky-Diode

Schurter

Normierung von DC-Steckern für Rechenzentren

Kleiner, schneller, stärker

Perfekte Kombination aus AlN-Keramiksubstrat und SiC-MOSFETs

Europa stärken

X-FAB entwickelt GaN-Power-Plattform mit IQE

onsemi verbessert Position durch Zukäufe

Klarer Fokus auf Leistungselektronik

Leistungselektronikindustrie

Wachstum, Herausforderungen und strategische Veränderungen

Kriterien für die Auswahl

Robuste und hochzuverlässige Stecker – darauf ist zu achten

Rechenzentren, Cloud- und Edge-Computing

Glasfasersteckverbinder der nächsten Generation

Interview mit Thomas Seesing, Harting

Alles neu beim D-Sub-Steckverbinder?

Globalen Veränderungen trotzen

Investitionsprogramme sollen passive Bauelemente pushen

Bei künftig steigenden Anforderungen

7 Kriterien für die Auswahl von Industriesteckverbindern

Stecker, Gehäuse, Schalter und mehr

Online-Themenwoche Elektromechanik 2025

Neues DC-Spannungsrelais

Überwachung von Gleichstromnetzen

Weidmüller

Industrielle Koppelrelais, vielseitig einsetzbar

Hitzeentlastung

Fortschritt bei Relais ermöglicht neue EV-Wallbox-Designs

Wo GaN möglich ist, gehört GaN auch hin

Wie die GaN-Welle ins Rollen kommt

Hohe Wärmeableitung

650-V-GaN-HEMT im kompakten TOLL-Gehäuse

TDK

Kleine X1-Kondensatoren

Test-to-Failure für mehr Zuverlässigkeit

Langfristige Leistungsfähigkeit von Steckverbindern garantieren

Sicherheit beim autonomen Fahren

Board-to-Board-Verbindung von Steuergeräten

Aus der Fab in Villach

Infineon liefert erste SiC-Produkte auf 200-mm-Wafern aus

Improved Power Density

CoolSiC MOSFETs 650 V G2 in Q-DPAK and TOLL packages

Andreas Mangler (Rutronik) im Interview

Europas Rolle im globalen Markt für Leistungshalbleiter

Harting

Strukturierte Verkabelung als Grundlage der All Electric Society

Forvia Hella/Infineon Technologies

Neue SiC-MOSFETs für neue DC/DC-Ladelösungen

Für extreme thermische Bedingungen

Robuste Leistungselektronik mit SiC

Rohm: SiC-MOSFETs der vierten Generation

2-in-1-SiC-Module für kompakte xEV-Wechselrichter

Hoffnung auf Besserung

Passive Bauelemente: KI ist Wachstumsmotor, aber nicht in Europa

16 Technologien passiver Bauelemente

Andreas Hammer, Yageo: »Wir bedienen über 90 Prozent der BOM«

Die Rolle von Halbleitern

Keine KI ohne Strom: Große Herausforderungen für Rechenzentren

Grundsteinlegung

Infineon Technologies: Neue Backend-Produktion in Thailand

Ausblick auf 2025

Molex: 10 Trends im Bereich schneller Verbindungstechnik

Jetzt kostenfreie Newsletter bestellen!

Weitere Artikel zu Beck GmbH & Co. Elektronik Bauelemente KG

Weitere Artikel zu Leistungshalbleiter-ICs

Weitere Artikel zu Leistungsmodule

Weitere Artikel zu Kondensatoren

Weitere Artikel zu Stecker, Steckverbinder

Weitere Artikel zu Relais