Europa stärken
X-FAB entwickelt GaN-Power-Plattform mit IQE
X-FAB hat mit IQE, Hersteller von Wafern aus Verbindungshalbleitern, ein Joint Development Agreement (JDA) geschlossen, um eine europäische Plattform für GaN-Power-Bauelemente aufzubauen.
Das JDA, in das X-Fab seine Prozesstechnologie für die Halbleiterfertigung und die in Cardiff, UK, ansässige IQE ihr Know-how im GaN-Epitaxie-Design einfließen lassen, ist zunächst auf eine Laufzeit von zwei Jahren ausgelegt, um 650-V-GaN-Bauelemente zu entwickeln. Sie sollen in Autos, Rechenzentren und in Consumer-Produkten Einsatz finden.
Über die Kooperation beider Unternehmen werden Halbleiterhersteller ohne eigene Fab Zugang zu einer modernen und standardisierten GaN-Plattform erhalten, so dass sie ihre Innovationszyklen und Markteinführungszeiten beschleunigen können. »Zusätzlich zu unserer bestehenden GaN-Technologie bietet diese Zusammenarbeit eine Alternative zu bestehenden Lieferkettenmodellen und stärkt Europas Position in der Leistungshalbleitertechnologie der nächsten Generation«, erklärt Jörg Doblaski, CTO von X-FAB.
Die Technologie wird auch als Grundlage für zukünftige Produktentwicklungen dienen, die über 650 V hinausgehen, um dem wachsenden Bedarf an Leistungselektronik nachzukommen.
»Aufbauend auf unserer GaN-Epitaxie-Expertise und den jüngsten Investitionen in zusätzliche GaN-Reaktorkapazitäten entspricht diese Vereinbarung unserer GaN-Diversifizierungsstrategie, erweitert unseren Kundenkreis und beschleunigt die Markteinführung von GaN-Power-Anwendungen«, sagt Jutta Meier, Interim CEO und CFO von IQE.
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