Infineon Technologies

Erweiterung der OptiMOS-6-Familie

1. September 2025, 16:00 Uhr | Engelbert Hopf
Konzipiert für den Einsatz in Elektrofahrzeugen weisen die in drei Gehäuseversionen (TOLL, TOLG und TOLT) erhältlichen 150 V MOSFETs der 6. OptiMOS-Generation mit 2,5 mOhm den niedrigsten RDS(on) in dieser Klasse auf (Bild: Infineon Technologies).
© Infineon Technologies

Mit steigender Elektrifizierung der Fahrzeuge wächst der Bedarf an hocheffizienten, kompakten und zuverlässigen Antriebssystemen. Infineon erweitert darum seine OptiMOS-6-Familie um 150-V-Versionen für Automotive-Anwendungen.

Diesen Artikel anhören

Elektrofahrzeuge oder auch elektrische Zweiräder benötigen spezielle Komponenten, wie HVLV-DC/DC-Wandler für xEVs oder Traktionswechselrichter für elektrische Zweiräder, die sowohl höchste Qualitätsstandards erfüllen, als auch komplexe technische, wirtschaftlich und fertigungstechnische Herausforderungen bewältigen müssen. Infineon Technologies hat dazu sein OptiMOS 6-Portfolio um eine 150-V-MOSFET-Familie für Automotive-Anwendungen erweitert. Speziell für die Bedürfnisse moderner Elektrofahrzeuge konzipiert, sind diese Bauteile in drei fortschrittlichen Gehäuseoptionen verfügbar: TOLL, TOLG und TOLT.

Basis der neuen Automotive-MOSFET-Familie ist die OptiMOS-Technologie der 6. Generation, die für alle Bauteilvarianten zwei verschiedene Drain-Source-Widerstandswerte bietet. Zudem sind alle Varianten für die 150-V-Spannungsklasse ausgelegt und erreichen mit 2,5 mOh den niedrigsten RDS(on) in dieser Klasse. Auf diese Weise erzielen sie minimale Leistungsverluste und einen hohen Wirkungsgrad. Durch die enge Verteilung der Gate-Schwellenspannung wird die Synchronisation beim Parallelschalten mehrerer MOSFETS erleichtert, was insbesondere für leistungsstarke Automotive-Systeme relevant ist.

Zudem weisen die Bauteile geringe Schaltverluste im Hochfrequenzbereich auf, was einen hocheffizienten Betrieb in schnell schaltenden Anwendungen wie modernen DC/DC-Wandlern ermöglicht. Da die Bauteilvarianten nur einen Wärmewiderstand von 0,4 K/W erreichen, wird die Wärmeableitung verbessert, der Kühlungsbedarf auf Systemebene reduziert und die damit verbundenen Kosten gesenkt.

Jeder der drei angebotenen Gehäusetypen bietet spezifische Vorteile: So erlaubt das TO-Leadless (TOLL) mit Außenabmessungen von 10 x 12 mm2 eine kompakte Bauweise. Abmessungskompatibel zum TOLL-Gehäuse ist das TOLG-Gehäuse, das zusätzlich aber noch über Gullwing-Anschlüsse verfügt, die eine hohe Robustheit gegenüber thermodynamischen Belastungen ermöglichen. Das 10 x 15 mm2 große TOLT-Gehäuse zeichnet sich durch eine Kühlung auf der Oberseite aus, was eine effiziente Wärmeableitung auf Systemebene ermöglicht. Vor diesem Hintergrund eignet sich die TOLT-Version besonders für thermisch anspruchsvolle Anwendungen in beengten Einbauverhältnissen.

Infineons OptiMOS 6 150-V-MOSFETs sind nach den höchsten Automotive-Qualitätsstandards von Infineon qualifiziert und übertreffen damit die Anforderungen des AEC-Q101-Standards. Darüber hinaus sind die Bauteile PPAP-fähig, damit erfüllen sie problemlos die strengsten Standards der Automobilproduktion


Lesen Sie mehr zum Thema


Das könnte Sie auch interessieren

GaN in Motorsteuerungs-Anwendungen

Hervorragende Alternative zu MOSFETs und IGBTs

Energieumwandlung in Haushaltsgeräten

Das Beste aus zwei Welten: Hybrid SiC SLIMDIP-Module

Infineon Technologies

Transinduktivitäts-Spannungsregler-Module

إنفينيون ولينغجي توقّعان مذكرة تفاهم

لتطوير محولات GaN لمركبات الكهرباء الخفيفة

Gehäuse für SiC-Leistungshalbleiter

Infineon kooperiert mit Rohm

Nexperia: 100-V-MOSFETs für Automotive

CCPAK1212-Gehäuse erhöhen Leistungsdichte in 48-V-Designs

Fertigungspartner gefunden

iDEAL Semiconductor arbeitet mit Polar Semiconductor zusammen

Advertorial Tektronix

Von der Validierung bis zum Serientest - mit einer Plattform

iDEAL Semiconductor

Erstes Produkt der 200-V-SuperQ-MOSFET-Familie

Infineon und Lingji unterzeichnen MoU

GaN-Wechselrichter für leichte E-Fahrzeuge

Power Integrations unter neuer Führung

Balu Balakrishnan: »Mit 70 sollte man es als CEO gut sein lassen«

Infineon/Delta

Partnerschaft für hochdichte Leistungsmodule

Data Center Power Architecture

Infineon and Delta collaborate on high-density power modules

Bidirektionale GaN-Schalter über 600 V

»Humanoide Roboter sind eine faszinierende GaN-Anwendung«

Landgericht München I hat entschieden

Infineon gewinnt Patentverfahren gegen Innoscience

EliteSiC basierter PHEV-Plattform

onsemi und Schaeffler erweitern Zusammenarbeit

STMicroelectronics

Umsatz gesunken, Nettoverlust ausgewiesen

Vishay entwickelt Lösungen

DC-Netze erobern die Welt

Entspannte Leistungshalbleiter

Optimierte Kühltechnik für Einsatz in der Leistungselektronik

Kommentar

Befreit von Schuldenlast zurück auf Start

Leistungselektronik

Start der Nexperia-Stiftungsprofessur an der TU Hamburg

Ziel: Mehr Nachhaltigkeit

Microchip & Delta treiben SiC-Technologie voran

Nexperia

1200 V SiC Schottky Dioden für energieintensive Infrastrukturen

Delta Electronics/Rohm

Eine Partnerschaft, die sich für beide Seiten lohnt

Texas Instruments

Leistungsstufen für humanoide Roboter

Käufermarkt in der Leistungselektronik

Kurze Lieferzeiten, niedrige Preise und neue Wettbewerber

»Übergang zu 8 Zoll hat sich verzögert«

High-End-MOSFETs und IGBTs kommen in Zukunft vermehrt aus China

Texas Instruments

Fab-Lite? Wer will das schon? TI definitiv nicht!

Infineon Technologies

Leistungsmodule für Traktionsumrichter von Rivian

Vishay

80V MOSFET mit führendem RDS(ON)-Wert von nur 0,88 mΩ

Gerücht: Wolfspeed droht Insolvenz

Rettungsanker Chapter 11

Neue Leistungshalbleiter-Trends

Bidirektionale GaN-Transistoren und JFET-Renaissance

Infineon Technologies

Bundesregierung genehmigt Förderung für Fab in Dresden

Paneldiskussion auf der Technology Stage

Themen auf der PCIM: Vom Wide-Bandgap-Einsatz bis Nachhaltigkeit

Infineon Technologies

EasyPACK-Leistungsmodule auf CoolGaN-Basis

STMicroelectronics

Gatetreiber ermöglicht skalierbare Designs für EV-Antriebe

Nexperia

Planar-Schottky-Dioden im platzsparenden CFP2-HP-Gehäuse

Rohm Semiconductor

Highlights für E-Mobility und Industrial

Optimierung parasitärer Effekte

Evaluierungsboard reduziert Streuinduktivität mit SiC-MOSFETs

Mersen

Powermanagement für die Energiewende

Efficient Power Conversion

100-V-GaN-Leistungstransistoren

Beck Elektronik Bauelemente

Komplettes Power-Programm

Rohm

SiC-Power-Module mit hoher Leistungsdichte

Advertorial: Littelfuse

Thermisch gealterte Silikongele in Leistungshalbleitermodulen

Weltweiter Anstieg des Energieverbrauchs

Wie Siliziumkarbid die Energiesysteme verändert

Infineon Technologies

GaN transistor product family with integrated Schottky diode

Infineon Technologies

Erste GaN-Transistorfamilie mit integrierter Schottky-Diode

Kleiner, schneller, stärker

Perfekte Kombination aus AlN-Keramiksubstrat und SiC-MOSFETs

Europa stärken

X-FAB entwickelt GaN-Power-Plattform mit IQE

onsemi verbessert Position durch Zukäufe

Klarer Fokus auf Leistungselektronik

Jetzt kostenfreie Newsletter bestellen!

Weitere Artikel zu INFINEON Technologies AG Neubiberg

Weitere Artikel zu Leistungshalbleiter-ICs

Weitere Artikel zu Leistungsmodule