Infineon Technologies

Erweiterung der OptiMOS-6-Familie

1. September 2025, 16:00 Uhr | Engelbert Hopf
Konzipiert für den Einsatz in Elektrofahrzeugen weisen die in drei Gehäuseversionen (TOLL, TOLG und TOLT) erhältlichen 150 V MOSFETs der 6. OptiMOS-Generation mit 2,5 mOhm den niedrigsten RDS(on) in dieser Klasse auf (Bild: Infineon Technologies).
© Infineon Technologies

Mit steigender Elektrifizierung der Fahrzeuge wächst der Bedarf an hocheffizienten, kompakten und zuverlässigen Antriebssystemen. Infineon erweitert darum seine OptiMOS-6-Familie um 150-V-Versionen für Automotive-Anwendungen.

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Elektrofahrzeuge oder auch elektrische Zweiräder benötigen spezielle Komponenten, wie HVLV-DC/DC-Wandler für xEVs oder Traktionswechselrichter für elektrische Zweiräder, die sowohl höchste Qualitätsstandards erfüllen, als auch komplexe technische, wirtschaftlich und fertigungstechnische Herausforderungen bewältigen müssen. Infineon Technologies hat dazu sein OptiMOS 6-Portfolio um eine 150-V-MOSFET-Familie für Automotive-Anwendungen erweitert. Speziell für die Bedürfnisse moderner Elektrofahrzeuge konzipiert, sind diese Bauteile in drei fortschrittlichen Gehäuseoptionen verfügbar: TOLL, TOLG und TOLT.

Basis der neuen Automotive-MOSFET-Familie ist die OptiMOS-Technologie der 6. Generation, die für alle Bauteilvarianten zwei verschiedene Drain-Source-Widerstandswerte bietet. Zudem sind alle Varianten für die 150-V-Spannungsklasse ausgelegt und erreichen mit 2,5 mOh den niedrigsten RDS(on) in dieser Klasse. Auf diese Weise erzielen sie minimale Leistungsverluste und einen hohen Wirkungsgrad. Durch die enge Verteilung der Gate-Schwellenspannung wird die Synchronisation beim Parallelschalten mehrerer MOSFETS erleichtert, was insbesondere für leistungsstarke Automotive-Systeme relevant ist.

Zudem weisen die Bauteile geringe Schaltverluste im Hochfrequenzbereich auf, was einen hocheffizienten Betrieb in schnell schaltenden Anwendungen wie modernen DC/DC-Wandlern ermöglicht. Da die Bauteilvarianten nur einen Wärmewiderstand von 0,4 K/W erreichen, wird die Wärmeableitung verbessert, der Kühlungsbedarf auf Systemebene reduziert und die damit verbundenen Kosten gesenkt.

Jeder der drei angebotenen Gehäusetypen bietet spezifische Vorteile: So erlaubt das TO-Leadless (TOLL) mit Außenabmessungen von 10 x 12 mm2 eine kompakte Bauweise. Abmessungskompatibel zum TOLL-Gehäuse ist das TOLG-Gehäuse, das zusätzlich aber noch über Gullwing-Anschlüsse verfügt, die eine hohe Robustheit gegenüber thermodynamischen Belastungen ermöglichen. Das 10 x 15 mm2 große TOLT-Gehäuse zeichnet sich durch eine Kühlung auf der Oberseite aus, was eine effiziente Wärmeableitung auf Systemebene ermöglicht. Vor diesem Hintergrund eignet sich die TOLT-Version besonders für thermisch anspruchsvolle Anwendungen in beengten Einbauverhältnissen.

Infineons OptiMOS 6 150-V-MOSFETs sind nach den höchsten Automotive-Qualitätsstandards von Infineon qualifiziert und übertreffen damit die Anforderungen des AEC-Q101-Standards. Darüber hinaus sind die Bauteile PPAP-fähig, damit erfüllen sie problemlos die strengsten Standards der Automobilproduktion


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