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Forvia Hella/Infineon Technologies

Neue SiC-MOSFETs für neue DC/DC-Ladelösungen

29. Januar 2025, 10:36 Uhr | Iris Stroh

Erfolgsmeldung für Infineon: Forvia Hella setzt den neuen CoolSiC Automotive MOSFET 1200 V von Infineon für seine 800-V-DCDC-Ladelösung ein. Der MOSFET bietet durch die TSC-Technologie eine hohe Wärmeleistung und reduzierte Systemkosten.

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Der CoolSiC-MOSFET von Infineon ist für On-Board-Ladegeräte und DC/DC-Anwendungen in 800-V-Fahrzeugarchitekturen konzipiert und wird in einem Q-DPAK-Gehäuse geliefert. Das Bauteil basiert auf der TSC-Technologie (Top-Side-Cooling), die eine hervorragende Wärmeleistung, eine einfache Montage und niedrige Systemkosten ermöglicht.

Der neue CoolSiC Automotive MOSFET 1200 V im Q-DPAK-Gehäuse basiert auf der Gen1p-Technologie und bietet eine Ansteuerspannung von V GS(off)= 0 V bis V GS(on)= 20 V. Die Abschaltung bei 0 V ermöglicht eine unipolare Gate-Steuerung, sodass sich die Anzahl der benötigten Bauteile auf der Leiterplatte reduziert und das Design vereinfacht wird. Mit einer Kriechstrecke von 4,8 mm erreicht das Gehäuse eine Betriebsspannung von über 900 V, ohne dass eine zusätzliche Isolationsbeschichtung erforderlich ist. Im Vergleich zur Rückseitenkühlung sorgt die TSC-Technologie für eine optimierte Leiterplattenbestückung, wodurch parasitäre Effekte reduziert werden und die Streuinduktivität deutlich geringer ausfällt. Dadurch profitieren Kunden von geringeren parasitären Eigenschaften des Gehäuses und geringeren Schaltverlusten. Die Wärmeableitung wird durch das Diffusionslöten des Chips mit der .XT-Technologie weiter verbessert.