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Renesas/Wolfspeed

10-Jahres-Liefervertrag für SiC-Wafer

5. Juli 2023, 12:27 Uhr | Iris Stroh

Hidetoshi Shabata (links), CEO von Renesas Electronics, und Gregg Lowe (rechts), CEO von Wolfspeed, unterzeichnen einen 10-jährigen SiC-Liefervertrag

Renesas Electronics und Wolfspeed haben einen Liefervertrag für SiC-Wafer unterzeichnet. Im Rahmen dessen leistet Renesas eine Anzahlung in Höhe von 2 Mrd. Dollar und sichert sich damit eine zehnjährige Lieferverpflichtung für SiC-Bare- und Epitaxie-Wafer von Wolfspeed.

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Mit der Liefervereinbarung will sich Renesas den Weg ebnen, seine Produktion von SiC-Leistungshalbleitern ab 2025 zu steigern. Die feierliche Unterzeichnung der Vereinbarung fand am Hauptsitz von Renesas in Tokio zwischen Hidetoshi Shibata, Präsident und CEO von Renesas, und Gregg Lowe, Präsident und CEO von Wolfspeed, statt.

So sieht der Liefervertrag für SiC-Wafer zwischen Renesas und Wolfspeed im Detail aus

Die auf zehn Jahre angelegte Liefervereinbarung sieht vor, dass Wolfspeed Renesas mit 150-mm-SiC-Bare- und Epitaxie-Wafern beliefert. Die Vereinbarung sieht außerdem vor, Renesas mit 200-mm-SiC-Bare- und Epitaxie-Wafern zu beliefern, sobald das kürzlich angekündigte John Palmour Manufacturing Center (»JP« genannt) für Siliziumkarbid vollständig in Betrieb ist.

Der Bedarf an effizienteren Leistungshalbleitern, die Strom liefern und verwalten, steigt in der Automobilbranche und in industriellen Anwendungen dramatisch an, angetrieben durch das Wachstum von Elektrofahrzeugen und erneuerbaren Energien. Renesas reagiert auf die steigende Nachfrage nach Leistungshalbleitern, indem es seine internen Fertigungskapazitäten ausbaut. Das Unternehmen kündigte bereits die Wiederaufnahme der IGBT-Produktion in der Kofu-Fabrik und die Einrichtung einer SiC-Produktionslinie in der Takasaki-Fabrik an.

»Der Wafer-Liefervertrag mit Wolfspeed sichert Renesas eine stabile, langfristige Versorgungsbasis mit hochwertigen SiC-Wafern. Dadurch kann Renesas sein Angebot an Leistungshalbleitern erweitern, um die breite Palette an Anwendungen der Kunden besser bedienen zu können«, so Hidetoshi Shibata, President und CEO von Renesas. »Wir sind nun in der Lage, uns als wichtiger Akteur auf dem wachsenden Siliziumkarbid-Markt zu etablieren.«

»Angesichts der steigenden Nachfrage nach SiC im Automobil-, Industrie- und Energiesektor ist es von entscheidender Bedeutung, dass wir erstklassige Leistungshalbleiter-Kunden wie Renesas haben, die dabei helfen, den weltweiten Übergang von Silizium auf Siliziumkarbid zu vollziehen«, sagte Gregg Lowe, Präsident und CEO von Wolfspeed. »Seit mehr als 35 Jahren konzentriert sich Wolfspeed auf die Herstellung von SiC-Wafern und hochwertigen Leistungshalbleitern, und dieses Abkommen ist ein wichtiger Schritt in unserer Mission, Energie zu sparen.«

Die Einlage von Renesas in Höhe von 2 Mrd. Dollar wird dazu beitragen, die laufenden Projekte von Wolfspeed zum Aufbau von Kapazitäten zu unterstützen, einschließlich JP, die weltweit größte Fabrik für SiC-Materialien in Chatham County, North Carolina. Die hochmoderne, mehrere Milliarden Dollar teure Fab soll die derzeitige SiC-Produktionskapazität von Wolfspeed auf dem Campus in Durham, North Carolina, um mehr als das Zehnfache erhöhen. In der Anlage werden hauptsächlich 200-mm-SiC-Wafer hergestellt.