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Mitsubishi Electric Semiconductor

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Leistungshalbleiter

Mitsubishi drängt auf Chipbündnis bis September

Seit März verhandeln Mitsubishi Electric, Toshiba und Rohm über die Zusammenlegung ihrer Leistungshalbleitergeschäfte. Bis September soll nun eine Einigung stehen. Mit dem Gemeinschaftsunternehmen wollen die drei Konzerne ihre Wettbewerbsposition auf dem Weltmarkt stärken.

Markt&Technik
Foto des 3300 V Full SiC Univull Power Modules

SiC für Bahnantriebe

Siemens und Mitsubishi bauen SiC-Allianz aus

Die Semiconductor Division von Mitsubishi Electric Europe B.V. und die Business Unit...

Markt&Technik
Hybrid SIC SLIMDIP-Modul

Energieumwandlung in Haushaltsgeräten

Das Beste aus zwei Welten: Hybrid SiC SLIMDIP-Module

Themen wie Nachhaltigkeit und wirtschaftliche Effizienz drängen auf die Reduzierung des...

Markt&Technik
Marktrecherche LHL

Käufermarkt in der Leistungselektronik

Kurze Lieferzeiten, niedrige Preise und neue Wettbewerber

Kurze Lieferzeiten, sinkende Preise – ein klassischer Käufermarkt also. Für 2025 dürfte...

Markt&Technik
GS Yuasa Battery

Energieversorgung von GS Yuasa Battery

Weltraumtaugliche Lithium-Ionen-Batterien

Leistungsstark und langlebig, das sind Grundvoraussetzungen für den Einsatz von...

Markt&Technik
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Neue Leistungshalbleiter-Trends

Bidirektionale GaN-Transistoren und JFET-Renaissance

Strom mit nur einem Bauelement in beide Richtungen steuern zu können, das ist der...

Markt&Technik
Mesago

PCIM Expo & Conference 2025

Mehr Aussteller, mehr Hallen, mehr Vorträge

Effizienz und Nachhaltigkeit, auf diese beiden Themen lässt sich der Fokus der...

Markt&Technik
LHL Index

Runter vom Gas und voll auf die Bremse

Marktflaute trifft nun auch die Leistungshalbleiter-Branche

Jahrelang entwickelte sich die Leistungshalbleiter-Branche sehr dynamisch. Mit dem...

Markt&Technik
Bislang hemmen Gehäusepräferenzen (aus der Si-IGBT-Ära), den Übergang zu Leistungsmodulen auf Basis der SiC-MOSFETs. Dieses Dilemma durch eines modifizierten NX-Gehäuses mit einer internen, für SiC-MOSFETs geeigneten Busbar-Struktur gelöst

Das duale NX-SiC-Modul

Effizienz und Kompatibilität

Gehäuse, die noch aus der Si-IGBT-Ära stammen, hemmen den Übergang zu Leistungsmodulen...

Markt&Technik
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Entwicklung von SiC-Leistungshalbleitern

Mitsubishi und Nexperia kooperieren

Mitsubishi Electric ist eine strategische Kooperation mit Nexperia eingegangen, um in...

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