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Kommentar / Siliziumkarbid

Kampf um die Hoheit über die Lieferkette

4. Dezember 2019, 16:00 Uhr | Ralf Higgelke

Gregg Lowes Ankündigung auf der PCIM 2019, eine Milliarde Dollar in den Ausbau der SiC-Waferkapazität von Cree zu stecken, hat dem Kampf um die Hoheit über die Lieferkette so richtig befeuert. Steht Infineon am Ende als Verlierer da?

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Bis vor einiger Zeit waren nur Cree/Wolfspeed und Rohm Semiconductor vertikal integriert, besaßen also ihre eigene Rohwafer-Fertigung für Siliziumkarbid (SiC). Auch wenn verschiedene Marktbegleiter langfristige Lieferverträge mit dem US-Unternehmen abgeschlossen haben, möchte niemand von einem Quasi-Monopolisten abhängig sein. Daher fahren sie zunehmend zweigleisig und möchten selber Zugriff auf die Lieferkette für SiC bekommen.

Bestes Beispiel dafür ist STMicroelectronics. Hatte dieses Unternehmen erst vor zwölf Monaten einen solche Liefervertrag im Wert von 250 Mio. Dollar mit Cree abgeschlossen, erwarb man schon einen Monat später, im Februar 2019, die Aktienmehrheit am schwedischen SiC-Wafer-Lieferanten Norstel. Als wäre das nicht genug, verdoppelte STMicroelectronics vor zwei Wochen den Liefervertrag mit Cree, nur um letzte Woche zu vermelden, man habe Norstel nun komplett übernommen.

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Nach demselben Prinzip agiert nun auch ON Semiconductor. Thomas Neyer, Vice President und Fellow bei ON Semi, verriet diese Woche, dass man an einer eigenen Produktion von SiC-Rohwafern arbeite (Bild 1). Gleichzeitig hatte das Unternehmen im August 2019 einen langfristigen Liefervertrag mit Cree abgeschlossen. Das wird noch ein Kraftakt, denn SiC-Wafer selber herzustellen ist ein kosten- und zeitintensives Unterfangen wie mir vor zwei Jahre Dr. Robert Eckstein, CEO von SiCrystal, im Interview verriet. Diese Nürnberger Firma züchtet als Rohm-Tochter die SiC-Kristalle. Immerhin muss ON Semi nicht von Null anfangen wie SiCrystal, sondern kann als Keimkristall einfach einen besonders guten SiC-Wafer nehmen.

Und wo bleibt Infineon? Nach der nicht genehmigten Übernahme von Wolfspeed scheint der Zug für eine eigene Fertigung von SiC-Rohwafern erstmal abgefahren zu sein, zumal die Münchener Vorstädter mit der Übernahme von Cypress und dem Bau einer neuen 300-mm-Waferfab in Villach insgesamt über zehn Milliarden Dollar an Investitionen erst einmal gebunden haben. Dennoch hat Infineon in Sachen Siliziumkarbid noch ein ganz heißes Eisen im Feuer. Vor genau einem Jahr übernahm man für 124 Millionen Euro das Dresdner Startup Siltectra. Mit deren Cold-Split-Verfahren lassen sich aus einem dicken SiC-Wafer zwei dünne machen. Auch damit lässt sich der Flaschenhals mit der Lieferfähigkeit aufweiten.