حكم براءة اختراع GaN في ميونيخ لصالح Infineon

أصدرت المحكمة الإقليمية حكم براءة اختراع GaN في ميونيخ لصالح شركة Infineon Technologies في قضية براءة اختراع تتعلق بتقنية GaN (نيتريد الغاليوم) ضد شركة Innoscience. وقد حكمت المحكمة بأن منتجات GaN التي تبيعها Innoscience في ألمانيا تُعتبر انتهاكًا لابتكارات محمية ببراءات اختراع من Infineon.

تتعلق الدعوى بالاستخدام غير المصرح به لتقنيات GaN الحاصلة على براءة اختراع من Infineon من قبل Innoscience. وتُعد تقنية GaN عنصرًا محوريًا في أنظمة الإمداد بالطاقة عالية الأداء وموفرة للطاقة، وتدخل في تطبيقات واسعة تشمل الطاقة المتجددة ومراكز البيانات والأتمتة الصناعية والمركبات الكهربائية.

وبموجب حكم براءة اختراع GaN في ميونيخ، تم حظر Innoscience من تصنيع أو بيع أو تسويق المنتجات المخالفة في ألمانيا، بالإضافة إلى إلزامها بدفع تعويضات مالية لشركة Infineon.

يؤكد حكم براءة اختراع GaN في ميونيخ الطبيعة القوية لمحفظة براءات اختراع Infineon. يؤكد يوهانس شويسفول، نائب الرئيس الأول ورئيس قسم أنظمة GaN في Infineon، أن هذه القرارات تُظهر التزام الشركة القوي بحماية الملكية الفكرية.

تواصل Infineon تعزيز مكانتها كشركة رائدة في سوق الأجهزة المتكاملة (IDM) الخاصة بـ GaN، حيث تمتلك أكبر محفظة براءات اختراع في هذا المجال، بما يقارب 450 براءة اختراع. كما تعمل الشركة باستمرار على دفع عجلة الابتكار لمواجهة تحديات العصر، بدءًا من إزالة الكربون وصولًا إلى التحول الرقمي.