Cree und ON Semiconductor Langfristiger Liefervertrag für Siliziumkarbid-Wafer

Nach Infineon, einem namentlich nicht genannten Unternehmen sowie STMicroelectronics hat nun auch ON Semiconductor einen mehrjährigen Liefervertrag für SiC-Wafer von Cree unterschrieben.

85 Millionen US-Dollar schwer ist der mehrjährige Liefervertrag für Siliziumkarbid-Wafer, den ON Semiconductor und Cree geschlossen haben. Das ist der mittlerweile vierte langfristige Liefervertrag, den Cree unter Dach und Fach bringen konnte. Im Februar 2018 kam ein Vertrag mit Infineon mit über 100 Mio. US-Dollar zustande, Ende 2018 mit STMicroelectronics, der mit 250 Mio. US-Dollar beziffert ist. Erst im Mai 2019 hatte Cree-CEO Gregg Lowe ein Investitionsprogramm von 1 Mrd. US-Dollar in Wafer-Kapazität angekündigt.

»ON Semiconductor bleibt weiterhin ein Vorreiter bei der Entwicklung energieeffizienter Technologien und Komponenten«, erklärte Jeffrey Wincel, Vice President & Chief Procurement Officer von ON Semiconductor. »Eine Partnerschaft mit Cree ist unerlässlich, um uns eine erstklassige Lieferbasis zu sichern. Diese Liefervereinbarung für Bare- und Epitaxiewafern unterstützt unser Engagement für den Ausbau bei Automobil- und Industrieanwendungen.«

»Wir wollen den Übergang des globalen Halbleitermarktes von Silizium- zu Siliziumkarbid-Lösungen anführen und freuen uns, ON Semiconductor bei unseren Bemühungen zu unterstützen, diesen Markt zu erschließen«, freut sich Cree-CEO Gregg Lowe. »Wir wollen den Einsatz und die Verfügbarkeit von Siliziumkarbid durch fortlaufende Wafer-Lieferverträge wie diese und unsere kürzlich angekündigte große Kapazitätserweiterung weiter forcieren.«