Infineon und Lingji unterzeichnen MoU

GaN-Wechselrichter für leichte E-Fahrzeuge

11. September 2025, 8:00 Uhr | Engelbert Hopf
Lingji wird die hohe Schaltfrequenz und Effizienz der GaN-G5-Leistungshalbleiter von Infineon mit senen selbst entwickelten intelligenten Algorithmen kombinieren, um die Effizienz des Antribsstrangs von leichten Elektrofahrzeugen (LEV) zu verbessern und zeugleich eine hohe Leistungsdichte zu erreichen.
© Lingji / Infineon

Infineon Technologies und Lingji Innovation Technology haben eine Absichtserklärung (Memorandum of Understanding: MoU) unterzeichnet, deren Ziel es ist, GaN-Wechselrichter für leichte E-Fahrzeuge zu entwickeln.

Diesen Artikel anhören

Im Rahmen dieser Zusammenarbeit wird Infineon GaN-Produkte wie die neue Generation von CoolGaN-G5-Leistungstransistoren liefern, mit denen Lingji leistungsstarke Wechselrichtersysteme für Elektro-Zweiräder entwickeln will, um deren Energieeffizienz und Leistung zu verbessern. Lingji kombiniert dabei die hohe Schaltfrequenz und Effizienz der GaN-G5-Leistungshalbleiter mit seinen selbst entwickelten intelligenten Algorithmen, um die Effizienz des Antriebsstrangs zu verbessern und zugleich eine hohe Leistungsdichte zu erreichen – unter Einhaltung der offiziellen Vorgaben zur Reichweite und Baugröße.

Angesichts der neuen chinesischen Norm, wonach der Kunststoffanteil von E-Scootern höchstens 5,5 Prozent der Gesamtmasse betragen darf, bietet der Einsatz von GaN entscheidende Vorteile: Es reduziert die Zahl passiver Komponenten und ermöglicht dadurch eine optimale Platzausnutzung. Ziel der Absichtserklärung ist die Entwicklung von GaN-basierten Motorantriebstechnologien, mit denen sich Lösungen für die Anpassung an einen weiten Spannungsbereich von 48 bis 72 V sowie für die Wechselrichtersteuerung optimieren lassen. Damit sollen kompakte, hoch kompatible Kernkomponenten für High-End-Modelle und Shared-Mobility-Szenarien entstehen.

»Bei Infineon gestalten wir die Zukunft der Mobilität in all ihren Facetten. Mit unseren hochmodernen GaN-Lösungen ermöglichen wir unseren Kunden kompaktere Designs, ein geringeres Systemgewicht und eine höhere Effizienz in LEV-Wechselrichtern“, sagt Peter Schäfer, Executive Vice President und Chief Sales Officer Automotive bei Infineon Technologies. »Darüber hinaus bieten wir eine umfassende Systemlösung, mit der Kunden ihre Produkte schneller auf den Markt bringen und den Aufwand bei der Systemintegration minimieren können«.

»Wir freuen uns sehr über die Zusammenarbeit mit Infineon, um die nächste Generation von Wechselrichtern für Elektro-Zweiräder auf den Markt zu bringen und unseren Kunden damit höchste Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit zu bieten«, sagt Xu Chao, General Manager von Lingji. »Durch die Kombination der GaN-G5-Leistungshalbleiter von Infineon mit unseren intelligenten Algorithmen werden wir LEV-Wechselrichter auf den Markt bringen, die unseren Kunden ein noch sanfteres und komfortableres Fahrerlebnis bieten und gleichzeitig den Energiebedarf reduzieren und die Emissionen nachhaltig senken«.

Für Endkunden sind LEVs ein erschwinglicher und leicht zugänglicher Einstieg in die Elektromobilität. Im Gegensatz zu Autos benötigen LEVs im Allgemeinen keine umfangreiche Ladeinfrastruktur, da die herausnehmbaren Batterien zu Hause an einer normalen Steckdose aufgeladen werden können. Branchenanalysten schätzen, dass dieser Markt bis 2030 ein Volumen von 340 Milliarden Dollar erreichen wird. Mit ihrer Erschwinglichkeit, ihrer einfachen Zugänglichkeit und ihren Vorteilen für die Umwelt sind LEVs weltweit führend beim Übergang zur Elektrifizierung von Fahrzeugen.


Lesen Sie mehr zum Thema


Das könnte Sie auch interessieren

iDEAL Semiconductor

Erstes Produkt der 200-V-SuperQ-MOSFET-Familie

Power Integrations unter neuer Führung

Balu Balakrishnan: »Mit 70 sollte man es als CEO gut sein lassen«

Cambridge GaN Devices

Industrieveteran Robin Lyle wird VP für Forschung und Entwicklung

Infineon Technologies

Erweiterung der OptiMOS-6-Familie

Infineon/Delta

Partnerschaft für hochdichte Leistungsmodule

Data Center Power Architecture

Infineon and Delta collaborate on high-density power modules

Urbane Mobilität auf zwei Rädern

Lifestyle-City-Surfer aus Österreich

Bidirektionale GaN-Schalter über 600 V

»Humanoide Roboter sind eine faszinierende GaN-Anwendung«

Einfache Installation mit Canalis for EV

Plug-and-Play-Design für die Ladeinfrastruktur

Längste Strecke mit nur einer Ladung

Guinness-Weltrekord für den Polestar 3

Flexible Energie fürs Haus

E-Autos als Stromquelle für steckerfertige Speichersysteme

Rückenwind für die Elektromobilität

Allzeittief beim Preisabstand zwischen Verbrenner und E-Auto

Politischer Deal mit Unsicherheiten

15 Prozent US-Importzölle: So reagiert die Elektronikbranche

Elektromobilität endlich im Aufwind

E-Anteil an Neuzulassungen steigt auf 29 Prozent

Landgericht München I hat entschieden

Infineon gewinnt Patentverfahren gegen Innoscience

E-Fahrzeug-Skepsis nimmt ab

Deutlich mehr private Elektroauto-Käufe

EliteSiC basierter PHEV-Plattform

onsemi und Schaeffler erweitern Zusammenarbeit

Vishay entwickelt Lösungen

DC-Netze erobern die Welt

Entspannte Leistungshalbleiter

Optimierte Kühltechnik für Einsatz in der Leistungselektronik

Kommentar

Befreit von Schuldenlast zurück auf Start

Leistungselektronik

Start der Nexperia-Stiftungsprofessur an der TU Hamburg

Bi-directional charging

No vehicle-to-grid without good payment

Nexperia

1200 V SiC Schottky Dioden für energieintensive Infrastrukturen

Delta Electronics/Rohm

Eine Partnerschaft, die sich für beide Seiten lohnt

Texas Instruments

Leistungsstufen für humanoide Roboter

Käufermarkt in der Leistungselektronik

Kurze Lieferzeiten, niedrige Preise und neue Wettbewerber

»Übergang zu 8 Zoll hat sich verzögert«

High-End-MOSFETs und IGBTs kommen in Zukunft vermehrt aus China

Jetzt kostenfreie Newsletter bestellen!

Weitere Artikel zu INFINEON Technologies AG Neubiberg

Weitere Artikel zu Leistungshalbleiter-ICs

Weitere Artikel zu Leistungsmodule

Weitere Artikel zu E-Mobility und Infrastruktur