iDEAL Semiconductor
Erstes Produkt der 200-V-SuperQ-MOSFET-Familie
Zeitgleich zum Beginn der Massenproduktion des ersten Produkts seiner 200-V-SuperQ-MOSFET-Familie gibt iDEAL Semiconductor bekannt, dass vier weitere SuperQ-basierte 200-V-MOSFETs als Muster erhältlich sind.
Unter der Typenbezeichnung iS20M028S1P hat die Serienproduktion des ersten Produkts der von iDEAL Semiconductor entwickelten 200-V-Familie von SuperQ-basierten MOSFETs begonnen. Es handelt sich dabei um ein 25-mOhm-MOSFET in einem TO-220-Gehäuse. Die Bauteile dieser Familie sind die mit dem niedrigsten, derzeit in TOLL- und D2PAK-7L-Gehäusen erhältlichen ihrer Art und erreichen einen maximalen RDS(on) von 5,5 mOhm. Damit bieten sie einen Widerstand, der 1,2-mal niedriger ist als des aktuellen Marktführers und 1,7-mal niedriger als des nächstbesten Mitbewerbers.
»Mit der Erweiterung von SuperQ auf 200 V beweist iDEAL, dass die Innovation im Bereich Silizium noch lange nicht abgeschlossen ist«, sagt Mark Granahan, CEO und Gründer von iDEAL Semiconductor. »Diese Ergebnisse zeigen, dass wir den niedrigsten Widerstand und ein überragendes Schaltverhalten bieten können, während wir gleichzeitig die Herstellbarkeit, Zuverlässigkeit und Kostenvorteile von Silizium beibehalten. Dies ist ein wichtiger Meilenstein für unser Unternehmen und für Kunden, die die Effizienz weiter vorantreiben möchten«.
Zu den Zielanwendungen für die 200-V-SuperQ-Familie gehören Motorantriebe, LED-Beleuchtungen, Batterieschutz, KI-Server, isolierte DC/DC-Leistungsmodule, USB-PD-Adapter und Solarenergie. Mit den nun in Produktion befindlichen Produkten und den branchenführenden Mustern beschleunigt das Unternehmen die Zusammenarbeit mit seinen Kunden in wachstumsstarken Energiemärkten.
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